UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are high-performance devices that deliver Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speeds, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.

Resultados: 29
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7 112En existencias
800Se espera el 11/11/2027
Cinta cortada
$ 91.952,63
$ 68.682,52
$ 59.397,04
$ 52.517,51
Envase tipo carrete
$ 52.517,51
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247 1.240En existencias
$ 53.269,37
$ 34.698,40
$ 30.187,23
$ 27.104,60
$ 25.074,57
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO263-7 279En existencias
Cinta cortada
$ 111.200,28
$ 88.080,54
$ 81.013,05
$ 73.231,28
Envase tipo carrete
$ 73.231,28
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO263 1.266En existencias
Cinta cortada
$ 29.585,74
$ 16.277,80
$ 15.826,68
$ 15.262,78
Envase tipo carrete
$ 15.262,78
$ 13.195,16
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247 606En existencias
$ 52.517,51
$ 30.149,64
$ 29.472,96
$ 26.991,82
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4 562En existencias
$ 49.547,66
$ 27.518,12
$ 25.939,21
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263 664En existencias
Cinta cortada
$ 52.743,07
$ 30.187,23
$ 28.570,73
Envase tipo carrete
$ 28.570,73
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL 1.319En existencias
Cinta cortada
$ 191.874,99
$ 154.883,42
$ 141.575,47
Envase tipo carrete
$ 141.575,47
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL 648En existencias
Cinta cortada
$ 127.365,29
$ 93.042,83
$ 88.832,41
$ 86.877,57
Envase tipo carrete
$ 86.877,57
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL 2.518En existencias
Cinta cortada
$ 86.313,67
$ 55.976,07
$ 52.818,25
$ 49.322,10
Envase tipo carrete
$ 49.322,10
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TOLL 2.815En existencias
Cinta cortada
$ 59.209,07
$ 35.074,33
$ 35.036,73
$ 32.743,56
Envase tipo carrete
$ 32.743,56
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TOLL 2.570En existencias
Cinta cortada
$ 52.404,73
$ 29.924,08
$ 27.969,24
Envase tipo carrete
$ 27.969,24
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TOLL 3.287En existencias
Cinta cortada
$ 43.269,61
$ 24.209,93
$ 23.307,70
$ 22.029,53
Envase tipo carrete
$ 22.029,53
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TOLL 1.266En existencias
Cinta cortada
$ 72.178,68
$ 45.262,05
$ 42.254,60
Envase tipo carrete
$ 42.254,60
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247 6.703En existencias
$ 58.419,62
$ 33.382,64
$ 31.051,87
$ 30.412,79
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/6MOSICFETG4TO247-4 384En existencias
$ 206.573,88
$ 147.364,80
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247 1.768En existencias
$ 48.269,49
$ 27.104,60
$ 25.149,76
$ 24.623,46
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263 306En existencias
Cinta cortada
$ 57.179,05
$ 33.495,42
$ 33.232,27
Envase tipo carrete
$ 31.277,43
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247 187En existencias
$ 58.757,96
$ 33.232,27
$ 32.405,22
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247 289En existencias
$ 63.983,39
$ 36.390,08
$ 33.908,94
$ 33.683,38
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247 395En existencias
$ 45.863,54
$ 25.262,54
$ 23.458,07
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-7 268En existencias
Cinta cortada
$ 125.936,76
$ 91.727,07
$ 85.637,00
Envase tipo carrete
$ 85.637,00
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO247-4 767En existencias
$ 74.434,26
$ 55.600,14
$ 48.081,53
$ 45.525,20
$ 42.480,16
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO263 13En existencias
Cinta cortada
$ 76.351,51
$ 48.419,86
$ 46.916,14
$ 44.961,30
Envase tipo carrete
$ 42.630,53
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247 222En existencias
600Se espera el 18/12/2026
$ 46.389,84
$ 25.563,28
$ 23.796,41
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET