Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 43

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 27.931,65 816En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R070CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R070CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	816En existencias	Cinta cortada $ 27.931,65 $ 14.962,04 $ 13.721,47 $ 13.082,39 Envase tipo carrete $ 12.368,12	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	70 mOhms	20 V	4.5 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R185CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $ 13.458,32 3.336En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R185CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R185CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	3.336En existencias	Cinta cortada $ 13.458,32 $ 7.293,05 $ 6.052,48 $ 5.263,03 $ 5.075,06 Envase tipo carrete $ 5.075,06	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	153 mOhms	20 V	3.5 V	28 nC	- 40 C	+ 150 C	85 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R040CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 39.623,09 695En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R040CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R040CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	695En existencias	$ 39.623,09 $ 21.503,23 $ 19.661,17 $ 19.398,02	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	50 A	40 mOhms	20 V	3.5 V	109 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R060CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $ 30.224,82 3.440En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R060CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R060CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	3.440En existencias	Cinta cortada $ 30.224,82 $ 16.315,39 $ 14.999,63 $ 14.548,51 $ 13.721,47 Envase tipo carrete $ 13.721,47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	40 A	60 mOhms	20 V	3.5 V	79 nC	- 40 C	+ 150 C	219 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R105CFD7XTMA1 Infineon Technologies 1: $ 19.510,80 1.321En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R105CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R105CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	1.321En existencias	Cinta cortada $ 19.510,80 $ 10.112,53 $ 9.210,30 $ 8.420,85 $ 8.120,10 Envase tipo carrete $ 7.631,39 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	105 mOhms	20 V	4 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	140 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R075CFD7XTMA1 Infineon Technologies 1: $ 27.518,12 1.980En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R075CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R075CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	1.980En existencias	Cinta cortada $ 27.518,12 $ 14.736,48 $ 13.495,91 $ 12.819,23 $ 12.104,97 Envase tipo carrete $ 12.104,97 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	650 V	33 A	75 mOhms	20 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	188 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies 1: $ 29.097,03 2.492En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R055CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R055CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	2.492En existencias	Cinta cortada $ 29.097,03 $ 15.638,71 $ 14.360,55 $ 13.796,65 $ 13.044,79 Envase tipo carrete $ 13.044,79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	44 A	55 mOhms	20 V	4 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	236 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R160CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $ 15.977,05 2.595En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R160CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R160CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	2.595En existencias	Cinta cortada $ 15.977,05 $ 9.435,86 $ 7.706,58 $ 6.428,41 $ 6.202,86 Envase tipo carrete $ 5.826,92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	160 mOhms	20 V	3.5 V	31 nC	- 40 C	+ 150 C	95 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 19.322,83 678En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R125CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R125CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	678En existencias	$ 19.322,83 $ 9.999,75 $ 9.097,52 $ 7.969,73 $ 7.481,02	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	125 mOhms	20 V	3.5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 34.510,43 268En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPW65R060CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R060CFD7SA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	268En existencias	$ 34.510,43 $ 20.337,85 $ 17.142,44 $ 16.616,13 $ 15.638,71	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	3.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPP60R280CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 12.706,45 712En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R280CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R280CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	712En existencias	$ 12.706,45 $ 6.353,23 $ 5.751,74 $ 4.623,95 $ 4.398,39	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	237 mOhms	20 V	3.5 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R045CFD7XTMA1 Infineon Technologies 1: $ 38.645,67 577En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R045CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R045CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	577En existencias	Cinta cortada $ 38.645,67 $ 21.390,45 $ 20.112,29 $ 20.074,70 $ 19.022,09 Envase tipo carrete $ 19.022,09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	52 A	45 mOhms	20 V	4 V	79 nC	- 55 C	+ 150 C	270 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $ 17.631,15 2.895En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R095CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R095CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	2.895En existencias	Cinta cortada $ 17.631,15 $ 11.616,26 $ 10.601,24 $ 9.059,93 Envase tipo carrete $ 9.059,93	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	95 mOhms	20 V	3.5 V	51 nC	- 40 C	+ 150 C	147 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R115CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $ 19.661,17 420En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R115CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R115CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	420En existencias	Cinta cortada $ 19.661,17 $ 10.187,72 $ 9.285,49 $ 8.195,29 Envase tipo carrete $ 7.706,58	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	22 A	115 mOhms	20 V	3.5 V	42 nC	- 40 C	+ 150 C	124 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 37.517,88 250En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP65R041CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Hoja de datos	250En existencias	$ 37.517,88 $ 25.638,47 $ 21.164,89 $ 18.946,90 $ 17.819,11	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	650 V	50 A	41 mOhms	20 V	4.5 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 36.314,90 4.368En existencias 3.000Se espera el 30/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPB60R040CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R040CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	4.368En existencias 3.000Se espera el 30/11/2026	Cinta cortada $ 36.314,90 $ 20.337,85 $ 18.909,31 $ 18.608,57 Envase tipo carrete $ 17.631,15 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	50 A	40 mOhms	20 V	4 V	107 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 14.398,14 3.632En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R145CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R145CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	3.632En existencias	Cinta cortada $ 14.398,14 $ 7.706,58 $ 6.992,31 $ 5.751,74 Envase tipo carrete $ 5.413,40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	145 mOhms	20 V	3.5 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 19.172,46 974En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R125CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R125CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	974En existencias	$ 19.172,46 $ 9.924,57 $ 8.496,03 $ 7.481,02	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	125 mOhms	20 V	3.5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	92 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R105CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 21.240,08 1.341En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R105CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R105CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	1.341En existencias	Cinta cortada $ 21.240,08 $ 11.089,95 $ 10.112,53 $ 9.097,52 Envase tipo carrete $ 8.571,22	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	21 A	105 mOhms	20 V	4.5 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	106 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $ 13.082,39 2.404En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R170CFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R170CFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	2.404En existencias	Cinta cortada $ 13.082,39 $ 6.616,38 $ 6.090,08 $ 4.924,69 Envase tipo carrete $ 4.248,02 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	144 mOhms	20 V	3.5 V	28 nC	- 55 C	+ 150 C	76 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $ 28.420,35 518En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R075CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R075CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	518En existencias	Cinta cortada $ 28.420,35 $ 15.262,78 $ 13.984,62 $ 13.420,72 $ 13.007,20 Envase tipo carrete $ 12.518,49	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	33 A	66 mOhms	20 V	3.5 V	67 nC	- 40 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R070CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 27.818,87 614En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R070CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R070CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	614En existencias	$ 27.818,87 $ 14.924,45 $ 13.646,28 $ 12.292,93	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	57 mOhms	20 V	3.5 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 26.653,48 622En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R090CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R090CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	622En existencias	$ 26.653,48 $ 16.540,95 $ 14.999,63 $ 12.744,05 Ver $ 10.262,91 $ 10.112,53 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	90 mOhms	20 V	3.5 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 73.193,69 180En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R018CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R018CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	180En existencias	$ 73.193,69 $ 43.607,95	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	101 A	18 mOhms	20 V	3.5 V	251 nC	- 55 C	+ 150 C	416 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R024CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $ 59.772,97 480En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R024CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R024CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	480En existencias	$ 59.772,97 $ 33.871,35 $ 33.608,20	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	77 A	24 mOhms	20 V	4 V	183 nC	- 55 C	+ 150 C	320 W	Enhancement		Tube