Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package
ISC013N06NM5SCATMA1
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726-ISC013N06NM5SCAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package
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Circuitos integrados de interruptores de RF PIN Diode SPDT 200 W High Power Switch; 0.01 - 7.0 GHz
MASW-011249
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937-MASW-011249
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Circuitos integrados de interruptores de RF PIN Diode SPDT 200 W High Power Switch; 0.01 - 7.0 GHz
35 En existencias
117 Se espera el 22/09/2026
1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
ISCH57N04NM7VSCATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
959 En existencias
8.000 Se espera el 13/08/2026
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$ 19.839
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package
ISCH75N04NM7VSCATMA1
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726-ISCH75N04NM7VSCA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package
2.207 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
IAUCN04S7N010GATMA1
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726-IAUCN04S7N010GAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
3.175 En existencias
1
$ 8.502
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
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726-IAUCN10S7L040ATM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
5.381 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQRS160EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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78-SQRS160EP-T1_GE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
7.160 En existencias
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$ 14.618
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
IXTX400N20X4
IXYS
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747-IXTX400N20X4
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IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
315 En existencias
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System on a Chip (SoC) RF Ultra-low power SOC + advanced security features, a range of peripherals & multiprotocol 2.4 GHz transceiver
NRF54LM20A-PAAA-R
Nordic Semiconductor
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949-NRF54LM20A-PAAAR
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Nordic Semiconductor
System on a Chip (SoC) RF Ultra-low power SOC + advanced security features, a range of peripherals & multiprotocol 2.4 GHz transceiver
3.212 En existencias
7.000 Se espera el 12/03/2027
1
$ 21.256
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$ 12.493
7.000
$ 12.493
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
TPM1R408RH,LQ
Toshiba
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757-TPM1R408RHLQ
Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
2.622 En existencias
1
$ 14.133
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5.000
$ 4.251
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ463EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1:
$ 17.378
4.353 En existencias
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78-SQJ463EP-T1_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
4.353 En existencias
1
$ 17.378
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$ 6.899
3.000
$ 6.228
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Amplificador de RF 2W 2-6GHz MMIC PA
QPA2597
Qorvo
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$ 311.642
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QPA2597
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772-QPA2597
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Qorvo
Amplificador de RF 2W 2-6GHz MMIC PA
18 En existencias
1
$ 311.642
10
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25
$ 274.016
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1:
$ 6.862
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78-SQJ858AEP-T1_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
2.020 En existencias
1
$ 6.862
10
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$ 2.189
1.000
Ver
1.000
$ 1.924
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$ 1.503
9.000
$ 1.451
24.000
$ 1.275
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
1:
$ 14.320
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78-SQM40022EM_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
690 En existencias
1
$ 14.320
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Ver
800
$ 5.258
2.400
$ 4.922
5.600
$ 4.475
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Módulos IGBT EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7/4 and emitter controlled 7 diode and NTC
FZ35R12ST4H18ABPSA1
Infineon Technologies
1:
$ 123.583
60 En existencias
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726-FZ35R12ST4H18ABP
Nuevo producto
Infineon Technologies
Módulos IGBT EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7/4 and emitter controlled 7 diode and NTC
60 En existencias
1
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$ 81.817
1.000
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1.000
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Detalles
Módulos IGBT EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode and NTC
FP15R12W1T4QBPSA1
Infineon Technologies
1:
$ 165.312
30 En existencias
Nuevo producto
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726-FP15R12W1T4QBPSA
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Infineon Technologies
Módulos IGBT EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode and NTC
30 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
STB25N018M9
STMicroelectronics
1:
$ 22.859
85 En existencias
1.000 Se espera el 3/08/2026
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N.º de artículo de Mouser
511-STB25N018M9
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
85 En existencias
1.000 Se espera el 3/08/2026
1
$ 22.859
10
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100
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Ver
2.000
$ 8.241
5.000
$ 7.868
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1.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
IAUCN04S7N037GATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 6.638
1.743 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N037GAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
1.743 En existencias
1
$ 6.638
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100
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500
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Ver
1.000
$ 1.809
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$ 1.671
10.000
$ 1.402
25.000
$ 1.234
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5.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V
IAUTN08S7N007ATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 32.257
45 En existencias
4.000 Se espera el 23/11/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN08S7N007ATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V
45 En existencias
4.000 Se espera el 23/11/2026
1
$ 32.257
10
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Ver
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$ 15.252
1.000
$ 16.110
2.000
$ 15.252
4.000
Presupuesto
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Mult.: 1
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2.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK
IPB018N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 19.652
672 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPB018N10NM8ATMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK
672 En existencias
1
$ 19.652
10
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$ 8.353
1.000
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2.000
Ver
2.000
$ 6.824
5.000
$ 6.302
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1.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
IPF014N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 22.002
199 En existencias
1.000 Se espera el 7/08/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPF014N10NM8ATMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
199 En existencias
1.000 Se espera el 7/08/2026
1
$ 22.002
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Ver
2.000
$ 7.868
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$ 7.570
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1.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 19.056
348 En existencias
12.000 En pedido
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N.º de artículo de Mouser
726-IQEH42NE2LM7ZCGS
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
348 En existencias
12.000 En pedido
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6.000 Se espera el 10/12/2026
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1
$ 19.056
10
$ 12.493
100
$ 9.323
500
$ 7.831
1.000
Ver
6.000
$ 6.824
1.000
$ 7.272
2.500
$ 6.824
6.000
$ 6.824
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
6.000
Módulos IGBT EasyPACK HD3 module with TRENCHSTOP H7 and NTC
F3L420R12D3H7B78BPSA1
Infineon Technologies
1:
$ 922.807
6 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-F3L420R12D3H7B78
Nuevo producto
Infineon Technologies
Módulos IGBT EasyPACK HD3 module with TRENCHSTOP H7 and NTC
6 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
IAUCN04S7N015GATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 7.794
1.736 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N015GAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
1.736 En existencias
1
$ 7.794
10
$ 4.885
100
$ 3.214
500
$ 2.551
5.000
$ 1.853
10.000
Ver
1.000
$ 2.267
2.500
$ 2.185
10.000
$ 1.786
25.000
$ 1.741
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Mult.: 1
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5.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
SI3410BDV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
$ 3.021
5.941 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SI3410BDV-T1-GE3
Nuevo producto
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
5.941 En existencias
1
$ 3.021
10
$ 2.114
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$ 1.339
500
$ 824
3.000
$ 541
6.000
Ver
1.000
$ 608
6.000
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$ 410
24.000
$ 324
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3.000
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