200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Todos los resultados (27)

A continuación, seleccione una categoría para ver las opciones de filtrado y reducir su búsqueda.
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
602En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
1.551En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
8.282En existencias
6.260Se espera el 25/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
25.135En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Hoja de datos
29.246En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
322En existencias
400Se espera el 25/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Hoja de datos
6.985En existencias
8.975Se espera el 25/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
Hoja de datos
4.937En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4.000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
4.785En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Hoja de datos
12.878En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
Hoja de datos
5.046En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
Hoja de datos
6.744En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800
Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V 2.575En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
Hoja de datos
13.466En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Hoja de datos
1.657En existencias
1.600Se espera el 21/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Hoja de datos
1.426En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Hoja de datos
4.629En existencias
2.400Se espera el 5/03/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800
Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
321En existencias
1.000Se espera el 25/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V 90En existencias
800Se espera el 28/01/2027
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Hoja de datos
1.159En existencias
3.200Se espera el 25/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
Hoja de datos
1.760En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Hoja de datos
112En existencias
2.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
Hoja de datos
2.400En existencias
2.000Se espera el 26/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC
Hoja de datos
2.792En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
Hoja de datos
160En existencias
9.600En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800