Resultados: 26
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
Hoja de datos
38.437En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 12 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
3.679En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
2.284En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
873En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 60 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
Hoja de datos
1.362En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
567En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 60 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
Hoja de datos
1.999En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
Hoja de datos
1.482En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
Hoja de datos
3.801En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
2.043En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
132En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3
Hoja de datos
119En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 54.9 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 288 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
395En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
38En existencias
500Se espera el 18/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
387En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
287En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
42En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
54En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
31En existencias
240Se espera el 9/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
228En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
276En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
70En existencias
500Se espera el 18/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
323En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
378En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube