Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

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Resultados: 43

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS

SSM6N15AFU,LF
Toshiba
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SSM6N15AFU,LF

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757-SSM6N15AFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

3.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
1: $ 2.124
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SSM6L14FE(TE85L,F)

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757-SSM6L14FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

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Cinta cortada

$ 2.124

$ 1.320

$ 836

$ 628

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$ 356

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SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

80 mA, 720 mA

240 mOhms, 300 mOhms

- 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V

350 mV, 1 V

2 nC, 1.76 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIII / U-MOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V

SSM6L40TU,LF
Toshiba
1: $ 2.816
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SSM6L40TU,LF

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757-SSM6L40TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V

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$ 2.816

$ 1.731

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$ 517

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SMD/SMT

UF-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

1.6 A, 1.4 A

122 mOhms, 226 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 2 V

5.1 nC, 2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3J36FS,LF
Toshiba
1: $ 1.062
283.841En existencias

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SSM3J36FS,LF

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757-SSM3J36FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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$ 660

$ 411

$ 305

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$ 162

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-416-3

P-Channel

1 Channel

20 V

330 mA

1.31 Ohms

- 8 V, 8 V

300 mV

1.2 nC

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V

SSM6P40TU,LF
Toshiba
1: $ 2.309
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SSM6P40TU,LF

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757-SSM6P40TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V

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$ 2.309

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$ 831

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$ 531

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SMD/SMT

UF-6

P-Channel

1 Channel

30 V

1.4 A

226 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM3K35AMFV,L3F
Toshiba
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SSM3K35AMFV,L3F

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757-SSM3K35AMFVL3F

Toshiba

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$ 877

$ 512

$ 208

$ 162

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$ 115

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SMD/SMT

VESM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

1.1 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

340 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

SSM3K122TU,LF
Toshiba
1: $ 2.124
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3K122TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K122TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

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$ 2.124

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$ 914

$ 683

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$ 457

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2 A

123 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package

SSM6K404TU,LF
Toshiba
1: $ 2.955
2.328En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K404TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K404TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package

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$ 2.955

$ 1.805

$ 1.182

$ 877

Envase tipo carrete

$ 573

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

20 V

3 A

55 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V

SSM6N36FE,LM
Toshiba
1: $ 1.708
16.967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N36FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N36FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V

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$ 1.708

$ 1.053

$ 489

$ 416

Envase tipo carrete

$ 272

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SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

1.23 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

XPJR6604PB,LXHQ
Toshiba
1: $ 11.404
3.360En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPJR6604PB,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPJR6604PBLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

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3.360En existencias

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$ 11.404

$ 7.018

$ 6.371

$ 6.325

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$ 5.402

$ 5.356

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Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

530 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

128 nC

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K35CTC,L3F
Toshiba
1: $ 1.108
79.690En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K35CTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K35CTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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79.690En existencias

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$ 1.108

$ 693

$ 397

$ 323

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$ 152

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Mult.: 1

Carrete: 10.000

N-Channel

1 Channel

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

SSM3K36MFV,L3F
Toshiba
1: $ 1.570
153.968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K36MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K36MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

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$ 1.570

$ 956

$ 600

$ 443

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$ 217

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Carrete: 8.000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

- 5 V, 5 V

350 mV

1.23 nC

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM6N35AFE,LF
Toshiba
1: $ 1.708
118.883En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N35AFE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35AFELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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$ 1.708

$ 1.302

$ 739

$ 494

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$ 286

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Carrete: 4.000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

750 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

340 pC

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz

SSM3K123TU,LF
Toshiba
1: $ 2.309
14.880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K123TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K123TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz

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14.880En existencias

Cinta cortada

$ 2.309

$ 1.473

$ 970

$ 757

Envase tipo carrete

$ 582

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4.2 A

28 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

SSM3K127TU,LF
Toshiba
1: $ 2.262
25.886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K127TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K127TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

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$ 2.262

$ 1.404

$ 905

$ 674

Envase tipo carrete

$ 489

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

93 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

SSM3K15AMFV,L3F
Toshiba
1: $ 1.062
57.972En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K15AMFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K15AMFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

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57.972En existencias

Cinta cortada

$ 1.062

$ 656

$ 411

$ 305

Envase tipo carrete

$ 162

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Mult.: 1

Carrete: 8.000

N-Channel

1 Channel

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V

SSM6N37FU,LF
Toshiba
1: $ 1.524
67.994En existencias
30.000Se espera el 24/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N37FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N37FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V

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67.994En existencias

30.000Se espera el 24/04/2026

Cinta cortada

$ 1.524

$ 937

$ 586

$ 420

Envase tipo carrete

$ 282

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

1.65 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

SSM3K15ACTC,L3F
Toshiba
1: $ 1.200
19.967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K15ACTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K15ACTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

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19.967En existencias

Cinta cortada

$ 1.200

$ 725

$ 457

$ 342

Envase tipo carrete

$ 203

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10.000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

2.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3K36FS,LF
Toshiba
1: $ 970
354En existencias
30.000Se espera el 13/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K36FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K36FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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Comentarios de Producto

354En existencias

30.000Se espera el 13/02/2026

Cinta cortada

$ 970

$ 623

$ 254

$ 226

Envase tipo carrete

$ 166

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

1.23 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K37CT,L3F
Toshiba
1: $ 1.016
18.640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K37CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K37CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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18.640En existencias

Cinta cortada

$ 1.016

$ 642

$ 356

$ 268

Envase tipo carrete

$ 189

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10.000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

20 V

200 mA

5.6 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM3K37FS,LF
Toshiba
1: $ 877
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SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

200 mA

2.2 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

U-MOSIII

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SMD/SMT

CST3-3

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30 V

100 mA

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SSM3K35AFS,LF
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250 mA

1.1 Ohms

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U-MOSIII MOSFETs

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28 mOhms
55 mOhms
66 mOhms
73 mOhms
87 mOhms, 87 mOhms
93 mOhms
120 mOhms, 210 mOhms
122 mOhms
122 mOhms, 226 mOhms
123 mOhms
126 mOhms
133 mOhms
145 mOhms
213 mOhms
226 mOhms
240 mOhms, 300 mOhms
247 mOhms, 430 mOhms
460 mOhms, 950 mOhms
630 mOhms