TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.

Resultados: 64
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET
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6.006En existencias
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Si SMD/SMT PDFN56U-6 N-Channel 2 Channel 40 V 10 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 26 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
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4.733En existencias
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-6 N-Channel 2 Channel 60 V 6 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 20 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
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4.465En existencias
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Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 13 Ohms - 20 V, 20 V 3.8 V 40 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET
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4.196En existencias
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Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 20 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET
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5.000En existencias
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Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET
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3.901En existencias
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Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 87 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
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4.924En existencias
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Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET
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7.264En existencias
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Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 20 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET
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4.740En existencias
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Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 40 V 24 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 118 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
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4.928En existencias
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Si SMD/SMT PDFN56U-6 N-Channel 2 Channel 60 V 6 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 24 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 52A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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5.000En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 80 V 52 A 14.5 mOhms 20 V 3.6 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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5.000En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 100 V 34 A 24 mOhms 20 V 3.6 V 6 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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18.000En existencias
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Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 3 Ohms 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 568 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.38A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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8.341En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 380 mA 3 Ohms 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 806 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.26A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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18.000En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-363 N-Channel 1 Channel 60 V 260 mA 3 Ohms 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 376 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
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5.000En existencias
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Si SMD/SMT PDFN-56 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 89 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 4.8V
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2.445En existencias
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Si SMD/SMT DFN56U-8 N-Channel 1 Channel 100 V 146 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 24 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 7.5V
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2.448En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DFN56U-8 N-Channel 1 Channel 100 V 113 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 18 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 47A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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9.975En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT PDFN33 N-Channel 1 Channel 40 V 47 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 22 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 38A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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10.000En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT PDFN33 N-Channel 1 Channel 40 V 38 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 18 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 26A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
9.865En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT PDFN33 N-Channel 1 Channel 60 V 26 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 25V
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2.500En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DFN56U-8 N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 5.5 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 22A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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9.972En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT PDFN33 N-Channel 1 Channel 60 V 22 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 0.17A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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20.093En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 328 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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20.212En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel