Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
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OptiMOS
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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TDSON-8
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Si
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OptiMOS
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
452 En existencias
1.000 En pedido
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
651 En existencias
Embalaje alternativo
1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
3.274 En existencias
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1
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Si
SMD/SMT
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1 Channel
60 V
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
826 En existencias
1
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
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Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
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Infineon Technologies
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159 En existencias
6.000 Se espera el 1/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
159 En existencias
6.000 Se espera el 1/10/2026
Embalaje alternativo
1
$ 9.834
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1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
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Infineon Technologies
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376 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
376 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 11.095
10
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Detalles
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
60 V
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2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
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Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
1:
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2.849 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
2.849 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 8.105
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
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1 Channel
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies
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5.547 En existencias
5.000 Se espera el 17/08/2027
N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
5.547 En existencias
5.000 Se espera el 17/08/2027
Embalaje alternativo
1
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$ 2.849
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5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
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+ 150 C
96 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC018NE2LS
Infineon Technologies
1:
$ 5.908
3.490 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
3.490 En existencias
1
$ 5.908
10
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5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1.8 mOhms
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2 V
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- 55 C
+ 150 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1:
$ 4.503
3.065 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
3.065 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 4.503
10
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Comprar
Min.: 1
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5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
84 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 5.836
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