Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8
BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 3.832
39.377 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8
39.377 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 3.832
10
$ 3.186
100
$ 2.913
500
$ 2.793
1.000
Ver
5.000
$ 2.452
1.000
$ 2.696
2.500
$ 2.586
5.000
$ 2.452
25.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
98 A
4.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 14.497
1.682 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
1.682 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 14.497
10
$ 9.465
100
$ 6.556
500
$ 5.540
1.000
$ 4.663
2.000
Ver
2.000
$ 4.506
25.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 14.036
7.506 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
7.506 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 14.036
10
$ 9.142
100
$ 6.325
500
$ 5.310
1.000
Ver
2.500
$ 4.303
1.000
$ 4.848
2.500
$ 4.303
25.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
90 A
2.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
83 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 7.156
9.978 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
9.978 En existencias
1
$ 7.156
10
$ 4.552
100
$ 3.038
500
$ 2.401
1.000
Ver
5.000
$ 1.731
1.000
$ 2.119
2.500
$ 2.004
5.000
$ 1.731
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
43 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC018NE2LS
Infineon Technologies
1:
$ 7.433
5.150 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
5.150 En existencias
1
$ 7.433
10
$ 4.709
100
$ 3.149
500
$ 2.530
5.000
$ 1.884
10.000
Ver
1.000
$ 2.258
2.500
$ 2.078
10.000
$ 1.791
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
1:
$ 7.480
6.489 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
6.489 En existencias
1
$ 7.480
10
$ 4.709
100
$ 3.158
500
$ 2.484
5.000
$ 1.828
10.000
Ver
1.000
$ 2.216
2.500
$ 2.092
10.000
$ 1.805
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
153 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
BSC0909NS
Infineon Technologies
1:
$ 4.063
8.483 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0909NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
8.483 En existencias
1
$ 4.063
10
$ 2.535
100
$ 1.644
500
$ 1.260
5.000
$ 891
10.000
Ver
1.000
$ 1.034
10.000
$ 790
25.000
$ 776
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
34 V
44 A
7.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
9.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
BSC052N03LS
Infineon Technologies
1:
$ 3.971
9.404 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
9.404 En existencias
1
$ 3.971
10
$ 2.336
100
$ 1.722
500
$ 1.459
5.000
$ 1.251
10.000
Ver
1.000
$ 1.316
2.500
$ 1.297
10.000
$ 1.205
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
57 A
5.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0901NSI
Infineon Technologies
1:
$ 7.895
4.026 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0901NSI
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
4.026 En existencias
1
$ 7.895
10
$ 5.033
100
$ 3.329
500
$ 2.632
5.000
$ 1.847
10.000
Ver
1.000
$ 2.382
2.500
$ 2.345
10.000
$ 1.828
25.000
$ 1.819
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
142 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
41 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1:
$ 5.725
3.200 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
3.200 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 5.725
10
$ 3.601
100
$ 2.369
500
$ 1.879
5.000
$ 1.371
10.000
Ver
1.000
$ 1.667
2.500
$ 1.524
10.000
$ 1.284
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
84 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ065N03LS
Infineon Technologies
1:
$ 5.033
4.688 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
4.688 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 5.033
10
$ 3.153
100
$ 2.055
500
$ 1.584
5.000
$ 1.163
10.000
Ver
1.000
$ 1.431
2.500
$ 1.302
10.000
$ 1.076
25.000
$ 1.039
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
49 A
6.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8
BSC0901NSIXT
Infineon Technologies
1:
$ 7.849
3.746 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSIATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8
3.746 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 7.849
10
$ 4.986
100
$ 3.315
500
$ 2.715
5.000
$ 1.958
25.000
Ver
1.000
$ 2.378
2.500
$ 2.188
25.000
$ 1.838
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
41 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 23.501
564 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
564 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 23.501
10
$ 19.253
100
$ 16.021
500
$ 14.313
1.000
$ 12.651
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
60 V
180 A
800 uOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
243 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 22.023
1.153 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
1.153 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
60 V
180 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
124 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC011N03LS
Infineon Technologies
1:
$ 9.742
25.376 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
25.376 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 9.742
10
$ 6.233
100
$ 4.317
500
$ 3.657
5.000
$ 2.710
10.000
Ver
1.000
$ 3.190
10.000
$ 2.669
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
230 A
1.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
72 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 17.175
5.582 En existencias
9.700 Se espera el 9/04/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
5.582 En existencias
9.700 Se espera el 9/04/2026
Embalaje alternativo
1
$ 17.175
10
$ 11.265
100
$ 7.895
500
$ 6.972
5.000
$ 5.633
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
1.45 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
89 nC
- 55 C
+ 150 C
156 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
BSC016N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 11.635
11.966 En existencias
9.000 Se espera el 26/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC016N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
11.966 En existencias
9.000 Se espera el 26/03/2026
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
1.4 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
95 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 13.112
7.752 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
7.752 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 13.112
10
$ 8.495
100
$ 5.910
500
$ 4.894
2.500
$ 4.848
5.000
$ 3.975
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
49 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 10.665
8.420 En existencias
5.000 Se espera el 26/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
8.420 En existencias
5.000 Se espera el 26/11/2026
Embalaje alternativo
1
$ 10.665
10
$ 6.833
100
$ 4.663
500
$ 3.721
1.000
Ver
5.000
$ 2.946
1.000
$ 3.514
2.500
$ 3.273
5.000
$ 2.946
25.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
3.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 5.448
7.552 En existencias
2.200 Se espera el 2/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
7.552 En existencias
2.200 Se espera el 2/03/2026
Embalaje alternativo
1
$ 5.448
10
$ 2.115
100
$ 1.731
500
$ 1.602
1.000
Ver
5.000
$ 1.325
1.000
$ 1.533
2.500
$ 1.528
5.000
$ 1.325
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ019N03LS
Infineon Technologies
1:
$ 9.049
10.958 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ019N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
10.958 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 9.049
10
$ 5.771
100
$ 3.998
500
$ 3.389
5.000
$ 2.512
10.000
Ver
1.000
$ 2.955
10.000
$ 2.470
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
149 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 6.233
7.073 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ031NE2LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
7.073 En existencias
1
$ 6.233
10
$ 3.814
100
$ 2.650
500
$ 2.142
5.000
$ 1.565
10.000
Ver
1.000
$ 1.847
2.500
$ 1.814
10.000
$ 1.505
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
40 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
13.6 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0902NS
Infineon Technologies
1:
$ 6.187
5.862 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0902NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
5.862 En existencias
1
$ 6.187
10
$ 3.883
100
$ 2.572
500
$ 2.008
1.000
Ver
5.000
$ 1.385
1.000
$ 1.704
2.500
$ 1.671
5.000
$ 1.385
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
106 A
2.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$ 9.326
4.456 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
4.456 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 9.326
10
$ 5.910
100
$ 3.989
500
$ 3.167
2.500
$ 2.535
5.000
Ver
1.000
$ 2.918
5.000
$ 2.424
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
45 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
32 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC010NE2LS
Infineon Technologies
1:
$ 6.833
5.814 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC010NE2LS
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
5.814 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 6.833
10
$ 4.802
100
$ 3.989
500
$ 3.767
5.000
$ 3.204
10.000
Ver
10.000
$ 2.701
25.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel