Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
1:
$ 766.325
244 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
244 En existencias
1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
AFM906NT1
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1.038 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFM906NT1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
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1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50NR5
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1:
$ 1.508.818
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N.º de artículo de Mouser 841-MRF1K50NR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
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1
$ 1.508.818
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
AFT09MS031NR1
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N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS031NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
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1
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$ 58.166
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
MMRF1014NT1
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1:
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N.º de artículo de Mouser 841-MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
584 En existencias
1
$ 89.421
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
MRFX1K80GNR5
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1:
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N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80GNR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
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1
$ 1.406.068
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25
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50
$ 1.132.911
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
AFT05MP075GNR1
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1:
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313 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
313 En existencias
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1
$ 148.979
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250
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250
$ 102.160
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$ 98.364
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101AN
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1:
$ 211.743
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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1
$ 211.743
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$ 145.985
250
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250
$ 141.978
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300AN
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
356 En existencias
1
$ 420.196
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30
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$ 311.246
510
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510
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
MRFX1K80HR5
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1:
$ 1.931.883
63 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
63 En existencias
1
$ 1.931.883
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100
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
AFT05MS004NT1
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1:
$ 18.011
8.571 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
8.571 En existencias
1
$ 18.011
10
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$ 11.262
250
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1.000
$ 9.617
250
$ 10.672
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$ 10.334
1.000
$ 9.617
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1:
$ 48.760
5.621 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
5.621 En existencias
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1
$ 48.760
10
$ 37.751
25
$ 35.009
100
$ 31.972
250
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1.000
$ 28.893
250
$ 30.538
500
$ 29.652
1.000
$ 28.893
4.000
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 1.884.852
45 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
45 En existencias
1
$ 1.884.852
10
$ 1.632.532
25
$ 1.569.557
50
$ 1.531.553
100
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100
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 450.608
535 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
535 En existencias
1
$ 450.608
10
$ 376.118
25
$ 357.517
100
$ 337.144
250
Ver
500
$ 336.933
250
$ 337.060
500
$ 336.933
1.000
Presupuesto
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 2.287.839
527 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
527 En existencias
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1:
$ 1.625.108
20 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
20 En existencias
1
$ 1.625.108
10
$ 1.402.567
25
$ 1.347.058
50
$ 1.224.146
100
Ver
100
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 206.935
165 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
165 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 206.935
10
$ 168.931
25
$ 159.440
100
$ 149.022
250
Ver
500
$ 141.050
250
$ 146.997
500
$ 141.050
1.000
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Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1:
$ 153.999
510 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
510 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 153.999
10
$ 124.389
25
$ 116.965
100
$ 108.866
250
Ver
500
$ 102.582
250
$ 104.986
500
$ 102.582
1.000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
$ 109.921
549 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
549 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 109.921
10
$ 88.029
25
$ 82.588
100
$ 76.557
250
Ver
500
$ 68.585
250
$ 73.688
500
$ 68.585
1.000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 3.118.573
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
50 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 3.118.573
10
$ 2.737.097
25
$ 2.721.828
50
$ 2.586.810
100
Ver
100
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1:
$ 1.461.239
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
1
$ 1.461.239
10
$ 1.251.563
25
$ 1.200.609
50
$ 1.189.558
100
Ver
150
$ 1.116.840
100
$ 1.168.510
150
$ 1.116.840
450
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
$ 1.987.560
120 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
120 En existencias
Embalaje alternativo
1
$ 1.987.560
10
$ 1.723.683
25
$ 1.657.840
50
$ 1.618.106
100
Ver
100
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101BN
NXP Semiconductors
1:
$ 186.731
253 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRF101BN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
253 En existencias
1
$ 186.731
10
$ 151.890
25
$ 136.326
250
$ 131.686
500
Ver
500
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
No
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
1:
$ 816.983
1 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
1 En existencias
1
$ 816.983
10
$ 692.974
20
$ 662.056
50
$ 654.717
100
$ 628.017
200
Ver
200
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
NXP Semiconductors MHT1803B
MHT1803B
NXP Semiconductors
1:
$ 187.363
354 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MHT1803B
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
354 En existencias
1
$ 187.363
10
$ 152.438
25
$ 142.990
100
$ 135.904
240
Ver
240
$ 134.891
480
Presupuesto
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Colombia
