60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs are a family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs. The PANJIT 60/100/150V MOSFETs are designed with advanced trench technology for superior performance and efficiency. Ideal for automotive and industrial power systems, these MOSFETs offer an exceptional figure of merit (FOM), significantly lower RDS(ON), and reduced capacitance. These features minimize conduction and switching losses for improved electrical performance. Available in compact packages like DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, and TO-220AB-L, these MOSFETs enable efficient design solutions for modern electronics.

Resultados: 26
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2.980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 26 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2.925En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 40 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
4.533En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 150 V 18 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2.579En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2.824En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2.530En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
3.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 168 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 82 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 65 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 66 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 100 V 59 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 100 V 88 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 62 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 94 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 54 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 11.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 190 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 82 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 89 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 59 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 62 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 56 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 59 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel