Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

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Resultados: 41

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP33N60DM2
STMicroelectronics
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STP33N60DM2

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511-STP33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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$ 16.298

$ 11.312

$ 10.342

$ 8.818

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N60DM2
STMicroelectronics
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3.154En existencias

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STD13N60DM2

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511-STD13N60DM2

STMicroelectronics

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$ 10.665

$ 6.879

$ 4.663

$ 3.731

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

310 mOhms

- 25 V, 25 V

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19 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL13N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 12.835
3.243En existencias

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STL13N60DM2

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511-STL13N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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Cinta cortada

$ 12.835

$ 8.264

$ 5.725

$ 4.709

$ 4.257

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

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1 Channel

600 V

8 A

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- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

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STW18N60DM2
STMicroelectronics
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STW18N60DM2

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511-STW18N60DM2

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$ 17.129

$ 9.373

$ 6.418

$ 6.371

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

260 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB33N60DM2
STMicroelectronics
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912En existencias

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STB33N60DM2

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511-STB33N60DM2

STMicroelectronics

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$ 24.285

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$ 11.589

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

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+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

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STB35N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 27.887
578En existencias

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STB35N60DM2

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511-STB35N60DM2

STMicroelectronics

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$ 19.068

$ 14.590

$ 13.666

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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28 A

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3 V

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210 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

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STL24N60DM2
STMicroelectronics
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7.722En existencias

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STL24N60DM2

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511-STL24N60DM2

STMicroelectronics

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7.722En existencias

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$ 18.930

$ 12.420

$ 8.865

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$ 6.741

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PowerFLAT-8x8-5

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600 V

15 A

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3 V

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- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP18N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 14.636
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STP18N60DM2

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511-STP18N60DM2

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$ 14.636

$ 7.757

$ 6.972

$ 5.725

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

260 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF24N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 14.867
1.168En existencias

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STF24N60DM2

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511-STF24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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$ 5.771

$ 5.679

$ 5.633

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

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- 25 V, 25 V

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29 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD8N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 7.387
1.756En existencias

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STD8N60DM2

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511-STD8N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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1.756En existencias

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$ 7.387

$ 5.263

$ 3.578

$ 2.858

Envase tipo carrete

$ 2.253

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

570 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 23.639
2.200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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2.200En existencias

Cinta cortada

$ 23.639

$ 17.037

$ 12.189

$ 11.820

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Envase tipo carrete

$ 9.650

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Min.: 1
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Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

115 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

STP24N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 17.683
855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

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855En existencias

$ 17.683

$ 7.018

$ 6.926

$ 6.833

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD10N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 9.049
2.122En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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2.122En existencias

Cinta cortada

$ 9.049

$ 5.771

$ 3.901

$ 3.098

Envase tipo carrete

$ 2.553

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

109 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW56N65DM2
STMicroelectronics
1: $ 51.757
218En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW56N65DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW56N65DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

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Hoja de datos

218En existencias

$ 51.757

$ 34.443

$ 28.071

$ 27.471

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

48 A

58 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STW35N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 23.362
384En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW35N60DM2

STMicroelectronics

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384En existencias

$ 23.362

$ 15.005

$ 10.988

$ 9.511

Presupuesto

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB24N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 17.591
1.618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STB24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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1.618En existencias

Cinta cortada

$ 17.591

$ 11.450

$ 8.957

$ 7.526

Envase tipo carrete

$ 6.418

$ 6.094

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD11N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 10.573
2.095En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD11N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD11N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

2.095En existencias

Cinta cortada

$ 10.573

$ 6.741

$ 4.663

$ 3.984

Envase tipo carrete

$ 3.070

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

370 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N50DM2
STMicroelectronics
1: $ 10.804
2.771En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N50DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N50DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

2.771En existencias

Cinta cortada

$ 10.804

$ 6.972

$ 4.756

$ 3.966

Envase tipo carrete

$ 3.287

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

11 A

350 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF43N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 24.008
1.332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF43N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF43N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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Hoja de datos

1.332En existencias

$ 24.008

$ 13.990

$ 12.789

$ 11.450

$ 10.204

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

93 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP28N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 20.638
3.085En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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Hoja de datos

3.085En existencias

$ 20.638

$ 10.665

$ 9.696

$ 7.987

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

STW43N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 33.796
2.400En existencias

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STW43N60DM2

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511-STW43N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

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$ 33.796

$ 23.824

$ 19.853

$ 17.683

$ 15.790

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

93 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW48N60DM2
STMicroelectronics
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976En existencias
390Se espera el 2/03/2026

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

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$ 10.711

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

65 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW56N60DM2
STMicroelectronics
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STW56N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

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772En existencias

$ 37.767

$ 22.485

$ 16.760

$ 16.714

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

60 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

STW70N60DM2
STMicroelectronics
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832En existencias

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STW70N60DM2

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511-STW70N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package

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832En existencias

$ 50.187

$ 39.245

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$ 29.133

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

66 A

42 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package

STB18N60DM2
STMicroelectronics
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734En existencias

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STB18N60DM2

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511-STB18N60DM2

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Cinta cortada

$ 15.421

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Envase tipo carrete

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$ 4.802

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

260 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

42 mOhms
58 mOhms
60 mOhms
65 mOhms
93 mOhms
110 mOhms
115 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
175 mOhms
195 mOhms
200 mOhms
260 mOhms
299 mOhms
310 mOhms
350 mOhms
370 mOhms
440 mOhms
570 mOhms
1.38 Ohms