Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 36

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD11N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 10.334
4.358En existencias

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STD11N60DM2

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511-STD11N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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4.358En existencias

Cinta cortada

$ 10.334

$ 6.622

$ 4.513

$ 3.598

Envase tipo carrete

$ 2.919

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

370 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 10.418
3.149En existencias

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STD13N60DM2

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511-STD13N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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3.149En existencias

Cinta cortada

$ 10.418

$ 6.707

$ 4.598

$ 3.644

$ 3.349

Envase tipo carrete

$ 3.092

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

310 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP33N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 21.976
1.406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP33N60DM2

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511-STP33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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1.406En existencias

$ 21.976

$ 11.431

$ 10.376

$ 8.605

$ 8.520

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL13N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 12.570
3.195En existencias

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STL13N60DM2

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511-STL13N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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3.195En existencias

Cinta cortada

$ 12.570

$ 8.141

$ 5.610

$ 4.513

$ 4.214

Envase tipo carrete

$ 3.935

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

350 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

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STB33N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 23.747
857En existencias

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STB33N60DM2

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511-STB33N60DM2

STMicroelectronics

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$ 23.747

$ 15.817

$ 11.304

$ 10.123

Envase tipo carrete

$ 9.448

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB35N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 28.556
578En existencias

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STB35N60DM2

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511-STB35N60DM2

STMicroelectronics

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Cinta cortada

$ 28.556

$ 18.939

$ 13.793

$ 12.485

Envase tipo carrete

$ 11.346

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD10N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 8.942
2.108En existencias

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STD10N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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2.108En existencias

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$ 8.942

$ 5.694

$ 3.830

$ 3.066

Envase tipo carrete

$ 2.497

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

109 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL24N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 18.644
7.582En existencias

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STL24N60DM2

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511-STL24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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7.582En existencias

Cinta cortada

$ 18.644

$ 12.274

$ 8.647

$ 7.213

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Envase tipo carrete

$ 6.791

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

195 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF24N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 15.058
1.156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24N60DM2

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511-STF24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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1.156En existencias

$ 15.058

$ 8.352

$ 7.044

$ 5.779

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

175 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD8N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 8.267
1.750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD8N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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1.750En existencias

Cinta cortada

$ 8.267

$ 5.272

$ 3.535

$ 2.797

Envase tipo carrete

$ 2.202

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

570 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

STP24N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 17.969
848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

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848En existencias

$ 17.969

$ 9.153

$ 8.309

$ 6.833

$ 6.454

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Tube

STF35N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 26.152
538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF35N60DM2

STMicroelectronics

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538En existencias

$ 26.152

$ 13.793

$ 12.570

$ 10.756

$ 10.545

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

STW24N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 19.740
475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

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475En existencias

$ 19.740

$ 10.081

$ 7.592

$ 7.381

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Tube

STW35N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 25.477
382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW35N60DM2

STMicroelectronics

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382En existencias

$ 25.477

$ 15.564

$ 12.106

$ 9.954

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB24N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 16.872
1.175En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STB24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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1.175En existencias

Cinta cortada

$ 16.872

$ 11.051

$ 7.761

$ 6.411

Envase tipo carrete

$ 6.116

$ 5.947

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N50DM2
STMicroelectronics
1: $ 10.545
2.206En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N50DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N50DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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2.206En existencias

Cinta cortada

$ 10.545

$ 6.791

$ 4.640

$ 3.695

Envase tipo carrete

$ 3.307

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

11 A

350 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF43N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 25.983
578En existencias
1.000Se espera el 18/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF43N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF43N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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Hoja de datos

578En existencias

1.000Se espera el 18/06/2026

$ 25.983

$ 13.666

$ 12.485

$ 12.063

$ 10.672

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

93 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 24.886
1.380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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Hoja de datos

1.380En existencias

Cinta cortada

$ 24.886

$ 16.619

$ 11.937

$ 10.798

$ 10.418

Envase tipo carrete

$ 10.081

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

115 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP28N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 20.246
2.951En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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2.951En existencias

$ 20.246

$ 10.418

$ 9.490

$ 7.803

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP43N60DM2
STMicroelectronics
1: $ 26.995
2.800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP43N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP43N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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Hoja de datos

2.800En existencias

$ 26.995

$ 14.257

$ 13.034

$ 12.443

$ 11.009

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

93 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

STW28N60DM2
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3 V

39 nC

- 55 C

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MDmesh

Tube

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34 A

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- 25 V, 25 V

3 V

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- 55 C

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MDmesh

Tube

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TO-247-3

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600 V

40 A

65 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

70 nC

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MDmesh

Tube

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66 A

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446 W

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