N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs feature no tail current during switching, resulting in faster operation and reduced switching loss. Their low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. These ROHM SiC Power MOSFETs exhibit minimal ON-resistance increases and provides greater package miniaturization. This provides more energy savings than standard Si devices, in which the ON-resistance can more than double with increased temperature.

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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 8A N-CH MOSFET
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 80m 3rd Gen TO-247-4L
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)
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ROHM Semiconductor Conversores CA/DC Built-in Switching MOSFET PWM-type DC/DC Converter IC
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK); TO-252
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 40V 80A
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