Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

XSM6K519NW,LXHF
Toshiba
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XSM6K519NW,LXHF

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DFN-6

N-Channel

1 Channel

40 V

8 A

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4.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

XSM6K361NW,LXHF
Toshiba
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DFN-6

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1 Channel

100 V

3.5 A

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20 V

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4.3 W

Enhancement

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XSM6K336NW,LXHF
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

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DFN-6

N-Channel

1 Channel

30 V

3 A

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20 V

2.5 V

1.7 nC

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3.3 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba
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TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

100 V

160 A

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- 20 V, 20 V

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122 nC

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375 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A

XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
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Toshiba

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N-Channel

1 Channel

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20 A

23.7 mOhms

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2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK40S06N1L,LXHQ
Toshiba
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TK40S06N1L,LXHQ

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757-TK40S06N1L,LXHQ

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

26 nC

+ 175 C

88.2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)

TPHR9003NL1,LQ
Toshiba
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TPHR9003NL1,LQ

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757-TPHR9003NL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)

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SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

320 A

770 uOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

74 nC

+ 150 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K819R,LXHF
Toshiba
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SSM6K819R,LXHF

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757-SSM6K819RLXHF

Toshiba

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SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel

1 Channel

100 V

10 A

20.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.5 nC

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)

TPH2R306NH1,LQ
Toshiba
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TPH2R306NH1,LQ

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757-TPH2R306NH1LQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)

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SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

190 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

72 nC

+ 150 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101

XPH6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
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XPH6R30ANB,L1XHQ

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757-XPH6R30ANBL1XHQ

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SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
1: $ 6.454
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XPN3R804NC,L1XHQ

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757-XPN3R804NC,L1XHQ

Toshiba

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TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN7R104NC,L1XHQ
Toshiba
1: $ 5.568
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XPN7R104NC,L1XHQ

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757-XPN7R104NC,L1XHQ

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SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

20 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101

TK60S10N1L,LXHQ
Toshiba
1: $ 9.701
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TK60S10N1L,LXHQ

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757-TK60S10N1LLXHQ

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

6.11 mOhms

- 20 V, 20 V

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60 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K809R,LXHF
Toshiba
1: $ 4.598
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SSM6K809R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K809RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F

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SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.3 nC

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101

XPH4R10ANB,L1XHQ
Toshiba
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XPH4R10ANB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH4R10ANBL1XHQ

Toshiba

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$ 4.260

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$ 3.088

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SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK25S06N1L,LXHQ
Toshiba
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N.º de artículo del Fabricante
TK25S06N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK25S06N1L,LXHQ

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

36.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K810R,LXHF
Toshiba
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SSM6K810R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K810RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F

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SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.2 nC

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101

TK11S10N1L,LXHQ
Toshiba
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TK11S10N1L,LXHQ

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757-TK11S10N1LLXHQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

11 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101

TK15S04N1L,LXHQ
Toshiba
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N.º de artículo del Fabricante
TK15S04N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK15S04N1LLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

15 A

17.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101

TK60F10N1L,LXGQ
Toshiba
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N.º de artículo del Fabricante
TK60F10N1L,LXGQ

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757-TK60F10N1LLXGQ

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MouseReel Disponible

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Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

6.11 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm

TPH1500CNH1,LQ
Toshiba
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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

150 V

38 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK100S04N1L,LXHQ
Toshiba
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TK100S04N1L,LXHQ

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

76 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm

TPH4R50ANH1,LQ
Toshiba
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SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

92 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

58 nC

+ 150 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101

TK33S10N1L,LXHQ
Toshiba
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TK33S10N1L,LXHQ

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

33 A

9.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F

SSM6N813R,LXHF
Toshiba
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SSM6N813R,LXHF

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757-SSM6N813RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F

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SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel

2 Channel

100 V

3.5 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.6 nC

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3 A
3.5 A
6 A
7 A
8 A
10 A
11 A
15 A
20 A
25 A
33 A
38 A
40 A
45 A
60 A
70 A
92 A
100 A
160 A
190 A

770 uOhms
1.9 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
3.8 mOhms
4.1 mOhms
4.5 mOhms
6.11 mOhms
6.3 mOhms
6.7 mOhms
7.1 mOhms
9.7 mOhms
10.5 mOhms
15.4 mOhms
17.8 mOhms
20.9 mOhms
23.7 mOhms
28 mOhms
36 mOhms
36.8 mOhms

1.7 nC
3.2 nC
3.6 nC
6.5 nC
7.1 nC
8.5 nC
9.3 nC
10 nC
15 nC
21 nC
22 nC
23 nC
26 nC
33 nC
35 nC
52 nC
58 nC
60 nC
72 nC
74 nC