Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low R_DS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.

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Resultados: 30

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4476AP-AU_R2_000A1
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PJQ4476AP-AU_R2_000A1

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35 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3470_R1_00001
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$ 2.632

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$ 1.090

$ 790

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1.3 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S-AU_R1_007A1
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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S_R1_00701
Panjit
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1 Channel

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- 20 V, 20 V

3 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

PSMQC042N10LS2_R2_00201
Panjit
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PSMQC042N10LS2_R2_00201

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

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+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

PSMQC078N10LS2_R2_00201
Panjit
1: $ 7.295
5.339En existencias

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PSMQC078N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC078N10LS2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

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$ 7.295

$ 4.663

$ 3.089

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$ 2.816

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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Panjit
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N.º de artículo del Fabricante
PSMQC098N10LS2_R2_00201

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241-PSMQC098N10LS2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

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$ 7.387

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$ 3.684

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$ 2.493

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

PSMQC280N10LS2_R2_00201
Panjit
1: $ 5.633
7.853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC280N10LS2_R2_00201

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241-PSMQC280N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

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7.853En existencias

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$ 5.633

$ 3.527

$ 2.322

$ 1.842

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$ 1.482

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21 A

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- 20 V, 20 V

2.3 V

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+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

PSMQC074N10NS2_R2_00201
Panjit
1: $ 10.527
1.610En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC074N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC074N10NS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

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1.610En existencias

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$ 10.527

$ 6.741

$ 4.571

$ 3.809

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$ 3.167

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R1_00001
Panjit
1: $ 877
1.438En existencias
9.000Se espera el 18/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-BSS123_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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1.438En existencias

9.000Se espera el 18/02/2026

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$ 877

$ 526

$ 328

$ 240

Envase tipo carrete

$ 148

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3471_R1_00001
Panjit
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13.695En existencias
9.000Se espera el 18/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
PJA3471_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3471_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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13.695En existencias

9.000Se espera el 18/05/2026

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$ 2.216

$ 1.353

$ 859

$ 642

Envase tipo carrete

$ 480

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

100 V

900 mA

650 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R1_00001
Panjit
1: $ 1.339
3.216En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3476_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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3.216En existencias

Cinta cortada

$ 1.339

$ 803

$ 503

$ 374

Envase tipo carrete

$ 272

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

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500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

PJC7476_R1_00001
Panjit
1: $ 1.754
8.167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

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8.167En existencias

Cinta cortada

$ 1.754

$ 1.053

$ 660

$ 494

Envase tipo carrete

$ 365

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SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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350 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N10A_L2_00001
Panjit
1: $ 4.525
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N.º de artículo del Fabricante
PJD25N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD25N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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1.726En existencias

Cinta cortada

$ 4.525

$ 2.955

$ 1.995

$ 1.565

Envase tipo carrete

$ 1.228

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Min.: 1
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SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD9N10A_L2_00001
Panjit
1: $ 3.278
2.720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD9N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD9N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

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2.720En existencias

Cinta cortada

$ 3.278

$ 2.045

$ 1.316

$ 1.002

Envase tipo carrete

$ 766

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N10AL-AU_L2_000A1
Panjit
1: $ 5.679
1.980En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJD50N10AL-AU_L2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50N10ALAUL200

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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1.980En existencias

Cinta cortada

$ 5.679

$ 3.832

$ 2.909

$ 2.345

Envase tipo carrete

$ 1.870

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

28.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

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83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R2_00001
Panjit
12.000: $ 152
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-BSS123_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

Envase tipo carrete

$ 152

Min.: 12.000
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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

10 Ohms

- 20 V, 20 V

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1.8 nC

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R2_00001
Panjit
12.000: $ 245
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3476_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

$ 245

Min.: 12.000
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SMD/SMT

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N-Channel

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100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

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500 mW

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJC7476_R2_00001
Panjit
12.000: $ 388
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

Envase tipo carrete

$ 388

$ 332

Min.: 12.000
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SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD10P10A_L2_00001
Panjit
1: $ 4.478
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD10P10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
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Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

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$ 4.478

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Envase tipo carrete

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- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD13N10A_L2_00001
Panjit
1: $ 3.555
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PJD13N10A_L2_00001

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$ 1.427

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD14P10A_L2_00001
Panjit
1: $ 4.802
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PJD14P10A_L2_00001

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241-PJD14P10AL200001

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

100 V

14 A

- 20 V, 20 V

3 V

40.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N10AL_L2_00001
Panjit
3.000: $ 1.584
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PJD50N10AL_L2_00001

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241-PJD50N10ALL20000

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$ 1.584

$ 1.468

$ 1.380

Min.: 3.000
Mult.: 3.000

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

28.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD6N10A_L2_00001
Panjit
1: $ 3.324
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD6N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD6N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

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$ 3.324

$ 3.278

Envase tipo carrete

$ 891

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

PSMN015N10NS2_R2_00201
Panjit
2.000: $ 17.868
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N.º de artículo del Fabricante
PSMN015N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMN015N10NS2R22

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

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$ 17.868

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Carrete: 2.000

N-Channel

100 V

395 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

128 nC

Reel

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

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