Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V 10A AUTO SIC SBD
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onsemi Controladores de puertas SIC MOSFET DRIVER
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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V 20A AUTO SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V 10A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 30A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC Auto SiC Schottky Diode, 650 V
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onsemi Diodos Schottky de SiC SIC TO263 SBD 20A 1 200V
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onsemi Diodos Schottky de SiC SiC Diode 650V 4A
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onsemi Diodos Schottky de SiC SIC TO263 SBD 10A 1 200V
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 10A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 8A 650V
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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 40A
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 10A SIC SBD G EN1.5
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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V 20A AUTO SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V 20A AUTO SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 6A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 12A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 10A SIC SBD GEN1.5
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onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 20A
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onsemi Diodos Schottky de SiC Auto SiC Schottky Diode, 650 V
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 10A SIC SBD G EN1.5
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 30A SIC SBD
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onsemi Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 10A 650V
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 10A SIC SBD
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