Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options. 

Resultados: 104
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.7A 79.326En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.7 A 46 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 1.31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 4.7A 1.191En existencias
150.000Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-457-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.7 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8.1A 12En existencias
24.000Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 40 V 11.5 A 18 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 19.4 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.6A 114.354En existencias
33.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 118 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 4.6 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB50XN/SOT1220/SOT1220 1.803En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020M-6 N-Channel 1 Channel 110 V 9.9 A 70 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 18A 1.066En existencias
3.000Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 18 A 33 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 7.2A 22En existencias
6.000Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 22 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 4A 423En existencias
3.000Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 11 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 2.5A 203En existencias
3.000Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 3.1 A 123 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 7.4 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 1.8A 313En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 222 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.14 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.4A 715En existencias
3.000Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.4 A 38 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 16 nC - 55 C + 175 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.7A 2.409En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.7 A 46 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 1.31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.1A 2.976En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-96-1-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 12V 8.2A 335En existencias
15.000Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 12 V 8.2 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 100 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 3A 337En existencias
3.000Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.4 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.2 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 2.8A 11En existencias
3.000Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 4.1 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 14.9 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 100V 1.5A N-CH TRENCH 512En existencias
28.000Se espera el 1/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 385 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.4A 734En existencias
9.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.4 A 128 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.06 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4A 1.719En existencias
2.269Se espera el 1/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 55 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 7 nC - 55 C + 150 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A 3En existencias
3.000Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 11 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.7A 11En existencias
3.000Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP6-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.7 A 50 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 16 nC - 55 C + 175 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 3.5A
226.412En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 8.8 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V .27A
125.875Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1 A 270 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 800 pC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 26A
86.980Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 26 A 16 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 60V 8A
25.111Se espera el 8/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 2.6 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel