Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
11.387En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4.7 A 94 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 12.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
Hoja de datos
38.780En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 100 V 680 mA 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3
Hoja de datos
27.743En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 105 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH
Hoja de datos
27.426En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.4 A 192 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
Hoja de datos
145.549En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 950 mA, 530 mA 266 mOhms, 745 mOhms - 12 V, 12 V 700 mV, 1.2 V 340 pC, 400 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
23.368En existencias
3.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SC-59-3 P-Channel 1 Channel 60 V 620 mA 620 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
98.173En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 1.4 A, 1.5 A 113 mOhms, 119 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V, 1.5 V 600 pC, 2.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
Hoja de datos
14.089En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.5 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
Hoja de datos
134.163En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 950 mA 266 mOhms, 415 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 320 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
Hoja de datos
27.922En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
Hoja de datos
16.954En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.5 A 107 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Hoja de datos
70.295En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 200 V 660 mA 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 12.9 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
Hoja de datos
5.295En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 13 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
Hoja de datos
33.642En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.2 A 329 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 4.5 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -430mA SOT-223-3
Hoja de datos
14.605En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 250 V 430 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 11.6 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 1A SOT-223-3
Hoja de datos
8.067En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 100 V 1 A 808 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
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32.049En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 41 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 1.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 150mA SOT-323-3
Hoja de datos
108.288En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 150 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
70.608En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 2.3 A, 2 A 44 mOhms, 62 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V, 1.5 V 650 pC, 1.2 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
Hoja de datos
15.304En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 600 V 120 mA 25 Ohms - 20 V, 20 V 1.9 V 4.4 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
Hoja de datos
11.122En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 239 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3
Hoja de datos
3.460En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 2.9 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 22 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
Hoja de datos
101.521En existencias
71.400Se espera el 26/02/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 190 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH
Hoja de datos
3.042En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7.5 A 26 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 5.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
3.431En existencias
3.000Se espera el 26/02/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 30 V 5.5 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 23.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel