MOSFETs for Braking Systems

MOSFETs are also for power switching circuits. Unlike bipolar junction transistors (BJTs), the competing type of power transistor, MOSFETs do not require a continuous flow of drive current to remain in the ON state. Additionally, MOSFETs can offer higher switching speeds, lower switching power losses, lower on-resistances, and reduced susceptibility to thermal runaway. In switched-mode power supplies (SMPSs), MOSFETS are often used as the switching elements for regulation as well as for power factor correction (PFC).

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Resultados: 38
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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29.006En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 155 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
1.774En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 346 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V
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3.203En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
122.445En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 81 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
5.126En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 47 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 37A
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8.917En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 37 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 110 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
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3.036En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 255 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
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6.888En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 41 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
Hoja de datos
8.126En existencias
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Min.: 1
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
20.641En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 36 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 105 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement, Logic Level 60V, D2PAK-3
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932En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 60 V 26 A 42 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 24 nC - 65 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
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1.782En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench
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169En existencias
11.200En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 124 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
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4.688En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 124 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement PowerTrench Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench
Hoja de datos
1.582En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 80 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement PowerTrench Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75a 100V N-Ch UltraFET
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1.389En existencias
800Se espera el 22/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 238 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement UltraFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220AB N-Ch Power
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3.014En existencias
1.600Se espera el 12/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
159.325En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN011-80YS/SOT669/LFPAK
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8.795En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 47 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 45 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
50.127En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 32 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Volts 60 Amps 83 Watts
Hoja de datos
6.332En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 58 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
8.250En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50.8 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
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647En existencias
1.000Se espera el 21/09/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 135 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
Hoja de datos
990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 85A N-CH MOSFET
Hoja de datos
384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 160 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement TrenchFET Tube