CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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828En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2.543En existencias
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Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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3.346En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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1.254En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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3.364En existencias
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Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1.354En existencias
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Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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831En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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2.433En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1.199En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2.000En existencias
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Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1.375En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2.017En existencias
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Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 98 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2.875En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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778En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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717En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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591En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1.000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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872En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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752En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V, 30 V 4.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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552En existencias
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Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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759En existencias
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Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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731En existencias
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Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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3.979En existencias
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Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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86En existencias
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Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1.983En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
785En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape