50V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low drain-source on-state resistance [RDS(ON)]. Each device is ESD-protected up to a 2KV human-body model. For design flexibility, these devices are available in six packages (SOT-363, SOT-563, SC-89, SOT-523, SOT-23, and SOT-323). All PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and have a Green molding compound as per the IEC 61249 standard.

Resultados: 29
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 6.615En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 50 V, 350 mA 3.765En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SC-89-3 N-Channel 1 Channel 50 V 350 mA 2.5 Ohms 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 41.980En existencias
39.000Se espera el 1/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 272En existencias
282.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 19.187En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 8.018En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 1.249En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 6.358En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 5.071En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 400 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 3.026En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-523-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 3.160En existencias
3.000Se espera el 22/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 3.583En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 400 mA 1.45 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected 5.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 50 V 200 mA, 360 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected 6.296En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
24.000Se espera el 1/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-523-3 N-Channel 1 Channel 50 V 350 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
42.000Se espera el 3/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
: 12.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 400 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 950 pC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 8.000
Mult.: 8.000
: 8.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel