Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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SQ1421EDH-T1_GE3
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- 55 C

+ 100 C

2.7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ403EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ403EP-T1_GE3

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

SQD19P06-60L_T4GE3
Vishay Semiconductors
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SQD19P06-60L_T4GE3

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27 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ3427EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ3427EV-T1_GE3

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5.3 A

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5 W

Enhancement

AEC-Q101

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SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4153EY-T1_GE3

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78-SQ4153EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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- 8 V, 8 V

900 mV

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- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQS481ENW-T1_GE3

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ3427AEEV-T1_GE3

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5.3 A

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15.3 nC

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ433EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ433EP-T1_GE3

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78-SQJ433EP-T1_GE3

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P-Channel

1 Channel

30 V

75 A

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108 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA37EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 5.725
22.380En existencias

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SQJA37EP-T1_GE3

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78-SQJA37EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

SQ3419AEEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 4.986
24.018En existencias

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SQ3419AEEV-T1_GE3

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78-SQ3419AEEV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

48 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

12.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ411EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $ 8.634
2.451En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ411EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ411EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

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$ 8.634

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$ 3.698

$ 2.932

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$ 2.364

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

12 V

60 A

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- 8 V, 8 V

1.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SQS840CENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 5.079
5.414En existencias

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SQS840CENW-T1_GE3

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78-SQS840CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $ 7.664
84.338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ423EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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$ 7.664

$ 4.848

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$ 2.553

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$ 2.045

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

55 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 6.418
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ457EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ457EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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$ 6.418

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$ 1.718

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

60 V

36 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs

SQM120P10_10M1LGE3
Vishay Semiconductors
1: $ 22.069
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N.º de artículo del Fabricante
SQM120P10_10M1LGE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM120P1010M1LGE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

120 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQM40031EL_GE3
Vishay Semiconductors
1: $ 14.913
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N.º de artículo del Fabricante
SQM40031EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40031EL_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified

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$ 14.913

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$ 8.311

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$ 6.048

Presupuesto

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

800 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ415EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 3.463
5.420En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ415EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ415EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

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$ 3.463

$ 3.412

$ 2.609

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

30 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $ 8.403
3.467En existencias
9.000Se espera el 18/02/2026

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SQJ459EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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73 nC

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AEC-Q101

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SQJ479EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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AEC-Q101

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Vishay / Siliconix
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2.5 V

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AEC-Q101

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SQM110P06-8M9L_GE3
Vishay / Siliconix
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2.5 V

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AEC-Q101

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SQ2361ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ2361ES-T1_GE3

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SOT-23-3

P-Channel

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2.8 A

177 mOhms

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2.5 V

9 nC

- 55 C

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3419EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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TSOP-6

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40 V

6.9 A

48 mOhms

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7.5 nC

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5 W

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AEC-Q101

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

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2.68 A
2.8 A
3.75 A
4.7 A
5.3 A
6.9 A
12 A
15 A
16 A
20 A
25 A
30 A
32 A
36 A
50 A
52 A
55 A
60 A
75 A

2.5 mOhms
4.4 mOhms
4.8 mOhms
5.1 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
8.1 mOhms
8.5 mOhms
9.2 mOhms
11.5 mOhms
13 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
25 mOhms
33 mOhms
48 mOhms
55 mOhms

3.4 nC
5.3 nC
5.4 nC
7.5 nC
8 nC
9 nC
12.5 nC
15 nC
15.3 nC
27 nC
29 nC
50 nC
65 nC
73 nC
76 nC
80 nC
90 nC
95 nC
100 nC
101 nC