Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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2 V

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4153EY-T1_GE3

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900 mV

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQS481ENW-T1_GE3

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3 V

8 nC

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+ 175 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ1421EDH-T1_GE3

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SOT-363-6

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1.6 A

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2.7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

SQD19P06-60L_T4GE3
Vishay Semiconductors
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SQD19P06-60L_T4GE3

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2.5 V

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46 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ403EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ403EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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PowerPAK-SO-8-4

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30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

109 nC

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+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

SQ3419AEEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ3419AEEV-T1_GE3

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5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4005EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4005EY-T1_GE3

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78-SQ4005EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

15 A

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- 8 V, 8 V

1 V

29 nC

- 55 C

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6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA37EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 6.327
21.699En existencias

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SQJA37EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA37EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

SQD50P06-15L_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 17.589
4.051En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD50P06-15L_GE3

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78-SQD50P06-15L_GE3

Vishay / Siliconix

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$ 6.369

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SQS840CENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 4.977
5.331En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS840CENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS840CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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$ 2.042

$ 1.582

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$ 1.240

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD40131EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 8.563
30.890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD40131EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40131EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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$ 8.563

$ 5.441

$ 3.665

$ 2.906

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$ 2.451

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $ 5.230
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N.º de artículo del Fabricante
SQ3427AEEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3427AEEV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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$ 5.230

$ 3.290

$ 2.164

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$ 1.320

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: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $ 7.466
81.350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ423EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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$ 2.278

Envase tipo carrete

$ 1.974

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

55 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs

SQM120P10_10M1LGE3
Vishay Semiconductors
1: $ 21.596
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N.º de artículo del Fabricante
SQM120P10_10M1LGE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM120P1010M1LGE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs

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$ 21.596

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$ 11.389

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$ 8.689

$ 8.394

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

120 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified

SQA401EJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 5.230
12.003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQA401EJ-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA401EJ-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified

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$ 5.230

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$ 2.307

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$ 1.202

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

3.75 A

160 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

3.4 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

SQD40081EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 8.647
6.152En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD40081EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40081EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

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6.152En existencias

Cinta cortada

$ 8.647

$ 5.526

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: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

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40 V

50 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ409EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $ 9.195
10.099En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ409EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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100 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

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SQA401EEJ-T1_GE3
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SC-70-6

P-Channel

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2.68 A

113 mOhms

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25 A
30 A
32 A
36 A
50 A
52 A
55 A
60 A
75 A

2.5 mOhms
4.4 mOhms
4.8 mOhms
5.1 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
8.1 mOhms
8.5 mOhms
9.2 mOhms
11.5 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
25 mOhms
33 mOhms
48 mOhms

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15 nC
15.3 nC
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