Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
SSM6L826R,LF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L826RLF
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
AHV85043K18ESTR
Allegro MicroSystems
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N.º de artículo de Mouser 250-AHV85043K18ESTR
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Allegro MicroSystems
Controladores de puerta con aislamiento galvánico SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
NVMFD5C650NLET1G
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C650NLET1G
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onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
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ZXMS6005DN8Q-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
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Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
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Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
onsemi
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onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4948BEY-T1-E3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
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GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
CGH40180PP
MACOM
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N.º de artículo de Mouser 941-CGH40180PP
MACOM
GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L14FETE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
247.692 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product.
PMD2001D,115
Nexperia
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N.º de artículo de Mouser 771-PMD2001D115
Nexperia
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product.
PMP4201Y,135
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
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$ 2.198
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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$ 797
9.000
$ 730
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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71.042 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
71.042 En existencias
1
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10
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$ 2.915
6.000
$ 2.615
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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28.800 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
28.800 En existencias
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$ 8.352
10
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6.000
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1.000
$ 2.590
6.000
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$ 2.311
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
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41.888 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41.888 En existencias
1
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1.000
$ 1.788
3.000
$ 1.582
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
1:
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265.313 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-DMG1016V-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
265.313 En existencias
1
$ 2.193
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$ 637
1.000
$ 569
3.000
$ 409
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Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
1:
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1.258 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
1.258 En existencias
1
$ 104.606
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$ 71.579
100
$ 70.694
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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44.314 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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1
$ 15.185
10
$ 9.575
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$ 6.918
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$ 5.652
1.000
$ 5.568
2.000
$ 5.272
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Carrete :2.000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
1SS226,LF
Toshiba
1:
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886.310 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS226LF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
886.310 En existencias
1
$ 548
10
$ 380
100
$ 325
500
$ 236
1.000
$ 207
3.000
$ 105
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Carrete :3.000
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product.
PMP4201Y,115
Nexperia
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N.º de artículo de Mouser 771-PMP4201Y115
Nexperia
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
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N.º de artículo de Mouser 78-SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
306.134 En existencias
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$ 1.772
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100
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$ 755
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$ 801
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9.000
$ 730
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Carrete :3.000
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