Resultados: 17
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL<BR>N-Channel PowerTrench 8.791En existencias
Cinta cortada
$ 29.811,30
$ 19.961,92
$ 16.052,24
$ 14.247,77
$ 12.744,05
Envase tipo carrete
$ 12.744,05
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.1 mOhms 20 V 2 V 172 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench 2.857En existencias
Cinta cortada
$ 26.014,40
$ 17.405,59
$ 13.984,62
$ 12.443,30
$ 11.127,55
Envase tipo carrete
$ 11.127,55
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 60 V 240 A 2.9 mOhms 20 V 2 V 130 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL<BR> N-Channel PowerTrench 3.552En existencias
Cinta cortada
$ 27.367,75
$ 18.345,41
$ 14.736,48
$ 13.082,39
$ 11.729,04
Envase tipo carrete
$ 11.729,04
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 2.2 mOhms 20 V 2 V 170 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab 10.398En existencias
Cinta cortada
$ 9.247,89
$ 5.939,70
$ 4.060,05
$ 3.420,97
Envase tipo carrete
$ 2.860,83
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.5 mOhms 20 V 2 V 29 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK<BR> N-Channel PowerTrench 6.090En existencias
Cinta cortada
$ 22.894,17
$ 14.999,63
$ 11.052,36
$ 9.849,38
Envase tipo carrete
$ 8.796,78
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-2 N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 3.2 mOhms 20 V 2 V 126 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET 3.923En existencias
Cinta cortada
$ 24.773,83
$ 16.240,20
$ 11.954,59
$ 10.638,84
$ 9.511,04
Envase tipo carrete
$ 9.511,04
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 80 V 240 A 2 mOhms 20 V 2 V 130 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET 888En existencias
$ 51.615,27
$ 38.457,70
$ 32.029,29
$ 28.533,13
$ 27.029,41
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 184 mOhms 20 V 3 V 126 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET 358En existencias
$ 72.592,20
$ 55.299,39
$ 46.051,50
$ 41.014,03
$ 38.871,23
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 96 mOhms 20 V 3 V 234 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A 111.697En existencias
Cinta cortada
$ 4.172,83
$ 1.932,28
$ 1.616,50
$ 1.244,33
$ 1.176,66
Envase tipo carrete
$ 936,07
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000
Si SMD/SMT SSOT-3 N-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 98 mOhms 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A 652En existencias
2.000Se espera el 12/01/2027
Cinta cortada
$ 29.736,11
$ 19.886,73
$ 15.977,05
$ 14.210,18
$ 12.593,68
Envase tipo carrete
$ 12.593,68
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 150 V 169 A 5 mOhms 20 V 2.8 V 70 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET 1.544En existencias
Cinta cortada
$ 19.059,68
$ 12.480,90
$ 9.323,08
$ 7.781,76
$ 7.217,87
Envase tipo carrete
$ 6.766,75
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 80 V 220 A 6.1 mOhms 20 V 2 V 86 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET 1.877En existencias
Cinta cortada
$ 12.631,27
$ 8.195,29
$ 5.638,96
$ 4.699,13
$ 4.360,80
Envase tipo carrete
$ 4.097,64
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 8.4 mOhms 20 V 2 V 68 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench 2.761En existencias
Cinta cortada
$ 9.623,82
$ 6.165,26
$ 4.210,42
$ 3.578,86
Envase tipo carrete
$ 2.996,17
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 17.4 mOhms 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET 880En existencias
$ 32.555,59
$ 22.931,77
$ 18.533,38
$ 16.465,76
$ 14.586,11
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 275 mOhms 20 V 3 V 109 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A 694En existencias
45.000En pedido
Cinta cortada
$ 3.947,27
$ 1.811,99
$ 1.601,46
$ 1.233,05
$ 1.206,74
Envase tipo carrete
$ 868,40
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000
Si SMD/SMT SSOT-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.3 A 47 mOhms 20 V 1 V 19 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK<BR>N-Channel PowerTrench 135En existencias
2.500Se espera el 16/07/2027
Cinta cortada
$ 13.646,28
$ 8.871,96
$ 6.202,86
$ 5.225,44
$ 4.849,50
Envase tipo carrete
$ 4.548,76
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 6 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET 18En existencias
2.500Se espera el 12/01/2027
Cinta cortada
$ 10.826,80
$ 6.992,31
$ 4.774,32
$ 3.872,09
$ 3.620,21
Envase tipo carrete
$ 3.496,15
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 3.2 mOhms 20 V 3.2 V 42 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel