Resultados: 10
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
Hoja de datos
4.428En existencias
Cinta cortada
$ 10.037,35
$ 4.924,69
$ 4.435,98
$ 3.541,27
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Envase tipo carrete
$ 3.097,67
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
Hoja de datos
4.704En existencias
Cinta cortada
$ 10.977,17
$ 5.450,99
$ 4.887,10
$ 3.947,27
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Envase tipo carrete
$ 3.041,28
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
33.582En existencias
Cinta cortada
$ 7.969,73
$ 4.135,24
$ 3.680,36
$ 2.928,50
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Envase tipo carrete
$ 2.462,35
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.1 mOhms 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
28.297En existencias
5.000Se espera el 3/12/2026
Cinta cortada
$ 7.781,76
$ 3.725,47
$ 3.330,75
$ 2.635,27
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Envase tipo carrete
$ 2.018,75
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.8 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
203En existencias
30.000Se espera el 8/04/2027
Cinta cortada
$ 9.247,89
$ 4.962,28
$ 4.022,46
$ 3.217,97
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Envase tipo carrete
$ 2.695,42
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5.000
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms 20 V 1.3 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
738En existencias
50.000En pedido
Cinta cortada
$ 4.097,64
$ 2.488,66
$ 1.751,84
$ 1.263,13
Ver
Envase tipo carrete
$ 785,69
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 5.9 mOhms 20 V 1.3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
38.763En pedido
Cinta cortada
$ 17.856,70
$ 11.691,44
$ 8.721,59
$ 7.293,05
Ver
Envase tipo carrete
$ 6.353,23
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 381 A 700 uOhms 20 V 1.3 V 94 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
339.760En pedido
Cinta cortada
$ 5.977,30
$ 2.796,92
$ 2.488,66
$ 1.947,32
Envase tipo carrete
$ 1.533,80
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 7.000
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.2 mOhms 20 V 1.3 V 28 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
159.714En pedido
Cinta cortada
$ 4.736,73
$ 2.330,77
$ 1.932,28
$ 1.507,48
$ 1.488,69
Envase tipo carrete
$ 1.131,55
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7 mOhms 20 V 2.3 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
14.976En pedido
Cinta cortada
$ 7.668,98
$ 3.687,88
$ 3.300,67
$ 2.902,18
$ 2.695,42
Envase tipo carrete
$ 2.210,47
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.4 mOhms 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel