Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

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Infineon Technologies
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SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

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40 V

166 A

2.05 mOhms

20 V

2.3 V

25 nC

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+ 175 C

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

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40 V

166 A

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20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

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Mult.: 1
Máx.: 7.000

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SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.2 mOhms

20 V

1.3 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

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Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.1 mOhms

20 V

2.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.8 mOhms

20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

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Mult.: 1
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SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

20 V

1.3 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

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BSC059N04LS6ATMA1
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SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

59 A

5.9 mOhms

20 V

1.3 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

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BSC007N04LS6ATMA1
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381 A

700 uOhms

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1.3 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

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BSZ063N04LS6ATMA1
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$ 1.499

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TSDSON-FL-8

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40 V

40 A

7 mOhms

20 V

2.3 V

9.5 nC

- 55 C

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38 W

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OptiMOS

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BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
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BSZ021N04LS6ATMA1

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$ 3.163

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40 V

40 A

2.4 mOhms

20 V

2.3 V

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- 55 C

+ 175 C

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