2 GHz Semiconductores

Resultados: 30
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Mini-Circuits Amplificador de RF SMT Gain Block, DC - 2000 MHz, 50ohm
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: 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL
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132En existencias
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: 100

Skyworks Solutions, Inc. Extremo frontal RF 2GHz FEM TX/RX Gain 32/12dB 2.995En existencias
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: 3.000

Qorvo Extremo frontal RF 2.4GHz Wi-Fi 7 Medium Power Non Linear F 2.472En existencias
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: 2.500

Analog Devices Amplificador de RF Dual Programmable Filters and VGAs for 2 GHz Channel Spacing for ?W Radios
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491En existencias
1Se espera el 17/12/2026
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Analog Devices Amplificador de RF 0DC Driver
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300En existencias
1.200Se espera el 26/08/2026
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: 1.500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL
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166En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL
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580En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL
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254En existencias
500Se espera el 2/12/2026
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL
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111En existencias
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: 100

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30/TO270/REEL
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379En existencias
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: 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL
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300En existencias
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Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
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14.619En existencias
216.000En pedido
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: 3.000


onsemi Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN RF Transistor
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13.134En existencias
21.000Se espera el 26/02/2027
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Máx.: 3.000
: 3.000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL
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30En existencias
200Se espera el 29/09/2026
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL
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13En existencias
4.000En pedido
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: 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL
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57En existencias
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: 100

Analog Devices Amplificador de RF Dual Programmable Filters and VGAs for 2 GHz Channel Spacing for ?W Radios
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1.211Se espera el 17/12/2026
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: 1.500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
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300En pedido
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: 100

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
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450Se espera el 9/09/2026
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: 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL
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195En pedido
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: 100

Analog Devices Receptor de RF 100/200MHz Dual Band Div.IF Rec 204B
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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Analog Devices Receptor de RF 100/200MHz Dual Band Div.IF Rec 204B
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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: 500