STMicroelectronics RF e inalámbricos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
STMicroelectronics System on a Chip (SoC) RF GSMA eSIM system-on-chip solution for secure IoT applications Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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STMicroelectronics Herramientas de desarrollo multiprotocolo Dual radio BLE and Sub-1GHz development kit for Sigfox and LPWAN protocol Plazo de entrega no en existencias 3 Semanas
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STMicroelectronics Herramientas de desarrollo RF Sub-1GHz (452-527 MHz) transceiver development kit based on S2-LP Plazo de entrega no en existencias 3 Semanas
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STMicroelectronics Herramientas de desarrollo celular LTE connectivity expansion board for STMod+ connector compatible eval boards Plazo de entrega no en existencias 3 Semanas
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STMicroelectronics Módulos GNSS / GPS Automotive GNSS dead reckoning module with 6-axis IMU Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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STMicroelectronics Módulos GNSS / GPS Industrial GNSS dead reckoning module with 6-axis IMU Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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STMicroelectronics Herramientas de desarrollo NFC/RFID Dynamic NFC tag expansion board based on M24LR for STM32 Nucleo Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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STMicroelectronics System on a Chip (SoC) RF Programmable Bluetooth LE 5.3 Wireless SoC Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
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STMicroelectronics System on a Chip (SoC) RF Programmable Bluetooth LE 5.3 Wireless SoC Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 3.000
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor No en existencias
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor No en existencias
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor No en existencias
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor No en existencias
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor No en existencias
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