Circuitos de sincronización en fase (PLL) PLLVCO, 656MHz-21GHz
ADF4383BCCZ
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584-ADF4383BCCZ
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Circuitos de sincronización en fase (PLL) PLLVCO, 656MHz-21GHz
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Amplificador de RF 40 dB Gain, 25 dBm IP3, 0.8 dB NF, 11 dBm P1dB, 1 GHz to 2 GHz, Low Noise High Gain Amplifier SMA
PE15A1019
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28-PE15A1019
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Amplificador de RF 40 dB Gain, 25 dBm IP3, 0.8 dB NF, 11 dBm P1dB, 1 GHz to 2 GHz, Low Noise High Gain Amplifier SMA
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System on a Chip (SoC) RF ESP32 is a single 2.4 GHZ Wi-Fi-and-Bluetooth combo chip designed with the TSMC low-power 40 nm technology. It is designed to achieve the best power and RF performance, showing robustness, versatility and reliability in a wide variety of applications
ESP32-D0WDRH2-V3
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356-ESP32-D0WDRH2-V3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC024N08NM7ATMA1
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Amplificador de RF SMT MMIC, Low Noise, Linear, Gain Block Amplifier, 0.01 GHz to 12 GHz, 50ohm, 2x2 mm QFN Style
PMA2-123LNW+
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Amplificador de RF SMT MMIC, Low Noise, Linear, Gain Block Amplifier, 0.01 GHz to 12 GHz, 50ohm, 2x2 mm QFN Style
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC034N08NM7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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Amplificador de RF Connectorized SMA, High Power Amplifier, 10 MHz to 2000 MHz, 50ohm
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Amplificador de RF Connectorized SMA, High Power Amplifier, 10 MHz to 2000 MHz, 50ohm
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN10S7L040ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQRS160EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
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726-IQEH42NE2LM7ZCGS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
ISCH57N04NM7VSCATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
STMicroelectronics
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511-STWA60N028T
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ461EP-T1_NE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ463EP-T1_NE3
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78-SQJ463EP-T1_NE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
IAUCN08S7N036TATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
ISC008N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
3.052 En existencias
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$ 8.099
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$ 8.099
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Rectificadores en puente 4A,800V,LOWVF,INLINEBRIDGE
KBPE0480-M3/P
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Vishay Semiconductors
Rectificadores en puente 4A,800V,LOWVF,INLINEBRIDGE
1.169 En existencias
1
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$ 2.919
10.000
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Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS5PH102-M3/I
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Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
4.515 En existencias
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19.500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
SIHFU220-GE3
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78-SIHFU220-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
2.734 En existencias
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$ 1.194
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
SIHFU420-GE3
Vishay Semiconductors
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78-SIHFU420-GE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
2.969 En existencias
1
$ 6.707
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$ 1.405
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
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78-SQJ858AEP-T1_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
2.700 En existencias
1
$ 7.761
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$ 1.443
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
740 En existencias
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$ 16.197
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Amplificador de RF Com Space Low, 30 kHz to 20 GHz LNA
ADL8120ACPZN-CSL
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584-ADL8120ACPZN-CSL
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Analog Devices
Amplificador de RF Com Space Low, 30 kHz to 20 GHz LNA
3 En existencias
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$ 950.356
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
SIHF620S-GE3
Vishay Semiconductors
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$ 8.099
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHF620S-GE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
881 En existencias
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$ 8.099
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$ 1.691
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
SIHFBC30AL-GE3
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78-SIHFBC30AL-GE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
995 En existencias
1
$ 8.942
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