RFUH25NS3S Fast Recovery Diodes

ROHM Semiconductor RFUH25NS3S Fast Recovery Diodes feature ultra-low switching loss and high current overload capacity. These recovery diodes include silicon epitaxial planar-type construction. The RFUH25NS3S recovery diodes offer 350V repetitive peak reverse voltage, 10μA reverse current, and 100A forward current surge peak. These recovery diodes operate at 1.45V maximum forward voltage and stored at -55°C to 150°C temperature range. The RFUH25NS3S super fast recovery diodes are ideal for use in general rectification.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Vr - Tensión inversa
If - Corriente directa
Tipo
Configuración
Vf - Tensión directa
Sobrecorriente máx.
Ir - Corriente inversa
Tiempo de recuperación
Temperatura de trabajo máxima
Calificación
Empaquetado
ROHM Semiconductor Rectificadores RFU 600V
Hoja de datos
1.574En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

SMD/SMT TO-263S-3 350 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.45 V 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Rectificadores RECT 430V 20A SM SUPER FST
Hoja de datos
1.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

SMD/SMT TO-263S-3 430 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.7 V 100 A 10 uA 25 ns + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Rectificadores RECT 350V 20A SM SUPER FST
Hoja de datos
980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

SMD/SMT TO-263S-3 350 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.45 V 100 A 10 uA 30 ns + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape