TGF2023 GaN HEMT Transistors

Qorvo TGF2023 GaN HEMT Transistors are discrete 1.25 to 20mm Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC-18 GHz. Each device is designed using Qorvo's proven 0.25um GaN production process. This process features advanced field plate techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.

Resultados: 5
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
Hoja de datos
Comentarios de Producto
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
Hoja de datos
Comentarios de Producto
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
Hoja de datos
Comentarios de Producto
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
Hoja de datos
Comentarios de Producto
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
Hoja de datos
Comentarios de Producto
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel