SSM6x N- & P-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6x N- and P-Channel MOSFETs with high-speed switching operate as both power management and analog switches. These MOSFETs provide very low on-resistance (as low as 1.1mΩ to a 115mΩ maximum) for different gate-to-source voltage ranges. The SSM6x MOSFETs are available in small profile packages with surface mount compatibility. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance, operate as DC-to-DC converters, and drive a 1.2V to 4.5V gate voltage. The Toshiba SSM6x MOSFETs deliver less drain power dissipation (up to 150mW), producing less heat while operating within a 12V to 100V input voltage range.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Silicon N-channel MOS (U-MOSIX-H)
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9.340En existencias
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Si Reel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
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26.948En existencias
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Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
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590.951En existencias
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Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F
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3.208En existencias
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Si Reel, Cut Tape

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)
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11.605En existencias
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Si Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N/P-CH, 30V, 4A, TSOP-F
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11.939En existencias
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Si Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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118.883En existencias
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Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)
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11.838En existencias
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Si Reel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N-CH, 100V, 10A, TSOP-F
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1.660En existencias
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Si Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V
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2.844En existencias
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Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.8 A 26 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
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11.849En existencias
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Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 1.7 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)
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11.582En existencias
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Si Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
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3.906En existencias
9.000Se espera el 29/05/2026
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Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 32.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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1.106En existencias
3.000Se espera el 19/06/2026
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Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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5.340En existencias
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Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms, 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
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122.970Se espera el 6/03/2026
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Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V
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49.000En pedido
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Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 100 V 2 A 84 mOhms, 84 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel