Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a 175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.

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Resultados: 15

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P03P4L11ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 6.787
3.959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P03P4L11ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P03P4L11ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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3.959En existencias

Cinta cortada

$ 6.787

$ 3.984

$ 2.978

$ 2.442

$ 2.221

Envase tipo carrete

$ 1.764

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3-11

P-Channel

1 Channel

30 V

50 A

13 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P404ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 16.944
5.936En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120P04P404ATM

Infineon Technologies

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5.936En existencias

Cinta cortada

$ 16.944

$ 11.081

$ 7.757

$ 6.833

Envase tipo carrete

$ 5.864

$ 5.540

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.9 mOhms

- 16 V, 5 V

3 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P4L03ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 17.083
823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P4L03ATMA2

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726-IPB120P04P4L03A2

Infineon Technologies

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823En existencias

Cinta cortada

$ 17.083

$ 11.127

$ 8.726

$ 7.295

Envase tipo carrete

$ 6.233

$ 5.956

MouseReel Disponible

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Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4 mOhms

- 16 V, 5 V

3 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB180P04P403ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 18.976
3.340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P403ATMA2

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726-IPB180P04P403ATM

Infineon Technologies

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3.340En existencias

Cinta cortada

$ 18.976

$ 12.420

$ 9.326

$ 8.264

Envase tipo carrete

$ 7.064

$ 6.648

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

P-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPB180P04P4L02ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 19.068
1.164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P4L02ATMA2

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726-IPB180P04P4L02A2

Infineon Technologies

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Cinta cortada

$ 19.068

$ 12.558

$ 8.865

$ 8.034

Envase tipo carrete

$ 6.510

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

P-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2.6 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

220 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD50P04P413ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 7.480
5.700En existencias

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IPD50P04P413ATMA2

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726-IPD50P04P413ATM

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5.700En existencias

Cinta cortada

$ 7.480

$ 4.756

$ 3.176

$ 2.498

Envase tipo carrete

$ 2.041

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3-11

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

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IPD50P04P4L11ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 7.941
6.002En existencias
10.000Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P04P4L11ATMA2

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726-IPD50P04P4L11AT2

Infineon Technologies

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6.002En existencias

10.000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

$ 7.941

$ 5.033

$ 3.375

$ 2.766

Envase tipo carrete

$ 2.225

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

TC252-3-313

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

12.3 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

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IPD70P04P409ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 9.095
3.916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70P04P409ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P409ATMA

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Cinta cortada

$ 9.095

$ 5.771

$ 3.864

$ 3.167

Envase tipo carrete

$ 2.549

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

73 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD70P04P4L08ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 9.373
16.327En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70P04P4L08ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P4L08ATM

Infineon Technologies

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$ 9.373

$ 5.956

$ 3.975

$ 3.260

Envase tipo carrete

$ 2.622

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

70 A

9.5 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPD80P03P4L07ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 8.634
16.985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80P03P4L07ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80P03P4L07AT2

Infineon Technologies

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16.985En existencias

Cinta cortada

$ 8.634

$ 5.448

$ 3.731

$ 2.996

Envase tipo carrete

$ 2.396

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

80 A

8.7 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P404ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 9.788
3.719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P03P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P404ATM2

Infineon Technologies

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Hoja de datos

3.719En existencias

Cinta cortada

$ 9.788

$ 6.879

$ 5.125

$ 4.243

$ 4.225

Envase tipo carrete

$ 3.546

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 11.958
6.208En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P03P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P4L04AT2

Infineon Technologies

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Hoja de datos

6.208En existencias

Cinta cortada

$ 11.958

$ 7.849

$ 5.402

$ 4.345

Envase tipo carrete

$ 3.624

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.1 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD90P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 11.635
6.911En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P405ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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6.911En existencias

Cinta cortada

$ 11.635

$ 6.879

$ 5.310

$ 4.400

Envase tipo carrete

$ 3.763

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

118 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 13.435
2.381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80P04P405ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

2.381En existencias

Cinta cortada

$ 13.435

$ 9.511

$ 6.602

$ 5.771

Envase tipo carrete

$ 4.802

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P04P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 11.866
1.173En existencias
2.500Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P4L04AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

1.173En existencias

2.500Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

$ 11.866

$ 7.987

$ 7.618

$ 5.587

Envase tipo carrete

$ 3.814

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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