Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

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100 A

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40 V

40 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

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+ 175 C

38 W

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BSZ024N04LS6ATMA1

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IQE020N04LM6CGSCATMA1
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166 A

2.05 mOhms

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