MOSFETs de SiC – Mouser Colombia

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650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $ 67.290
448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT018W65G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Hoja de datos

448En existencias

$ 67.290

$ 43.731

$ 40.706

$ 36.059

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: $ 49.027
599En existencias
1.000Se espera el 23/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT027H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

599En existencias

1.000Se espera el 23/04/2027

Cinta cortada

$ 49.027

$ 27.881

$ 27.809

Envase tipo carrete

$ 26.296

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: $ 41.894
487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W65G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

487En existencias

$ 41.894

$ 22.946

$ 21.397

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $ 48.342
481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W65G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

481En existencias

$ 48.342

$ 32.276

$ 29.971

$ 25.828

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: $ 32.961
1.404En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT055TO65G3

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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Hoja de datos

1.404En existencias

Cinta cortada

$ 32.961

$ 18.047

$ 16.895

$ 15.634

Envase tipo carrete

$ 15.634

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: $ 59.689
22En existencias
1.000Se espera el 29/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT018H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

22En existencias

1.000Se espera el 29/01/2027

Cinta cortada

$ 59.689

$ 35.878

Envase tipo carrete

$ 33.933

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: $ 43.623
730En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

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Hoja de datos

730En existencias

Cinta cortada

$ 43.623

$ 24.531

$ 23.883

Envase tipo carrete

$ 22.586

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: $ 36.923
14En existencias
1.800Se espera el 5/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT040TO65G3

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

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Hoja de datos

14En existencias

1.800Se espera el 5/02/2027

Cinta cortada

$ 36.923

$ 26.008

$ 19.308

$ 18.011

Envase tipo carrete

$ 18.011

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $ 49.279
5En existencias
600Se espera el 16/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT055W65G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Hoja de datos

5En existencias

600Se espera el 16/04/2027

$ 49.279

$ 36.851

$ 33.717

$ 29.214

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1.000: $ 31.412
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT018H65G3-7

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018H65G3-7

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

Envase tipo carrete

$ 31.412

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

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