Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NVBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NVBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D7N10MCTXG
Price: 32088 COP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NVBLS1D7N10MCTXG

Fabricante N.º:

NVBLS1D7N10MCTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V STD TOLL

Hoja de datos:

NVBLS1D7N10MCTXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NVBLS1D7N10MCTXG

En existencias: 1.737

Existencias:: 1.737 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 17 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$ -

Precio ext.:

$ -

Est. Tarifa:

Precio (COP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$ 32.088	$ 32.088
	$ 22.300	$ 223.000
	$ 16.667	$ 1.666.700
	$ 16.575	$ 16.575.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$ 13.574	$ 27.148.000
	$ 13.482	$ 53.928.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	H-PSOF-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	265 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	115 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	303 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	31 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	220 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	38 ns
Serie:	NVBLS1D7N10MC
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	76 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	48 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVBLS1D7N10MCTXG Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290040
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVBLS1D7N10MCTXG N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi NVBLS1D7N10MCTXG N-Channel PowerTrench^® MOSFET supplies a high thermal performance and low R_DS(on) to minimize conduction losses. The NVBLS1D7N10MCTXG is AEC-Q101 qualified and PPAP capable, ideal for automotive applications.