NTMFS005P03P8Z Single P-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS005P03P8Z Single P-Channel Power MOSFET is ideal for power load switches, battery management, and protection (reverse current, over-voltage, and reverse negative voltage). Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, the NTMFS005P03P8Z delivers -30V drain-to-source voltage, a 2.7mΩ on-resistance at 10V, and a 164A drain/standby current. The onsemi NTMFS005P03P8Z is packaged in a 5mm x 6mm SO8-FL package utilizing advanced package technology for space saving and excellent thermal conduction.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
onsemi NTMFS005P03P8ZST1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT8P PORTFOLIO EXPANSION 138En existencias
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Si Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET SO8FL -30V 5MO
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 P-Channel 1 Channel 30 V 164 A 2.7 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 183 nC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement Reel, Cut Tape