Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ20N08S5L300ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.104
6.515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ20N08S5L300ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ20N08S5L300A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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6.515En existencias

Cinta cortada

$ 5.104

$ 3.206

$ 2.109

$ 1.641

Envase tipo carrete

$ 1.185

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

20 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5L100ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 4.724
14.785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5L100ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5L100A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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14.785En existencias

Cinta cortada

$ 4.724

$ 3.298

$ 2.248

$ 1.776

Envase tipo carrete

$ 1.286

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8-3

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

12.7 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 18.433
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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990En existencias

Cinta cortada

$ 18.433

$ 12.274

$ 8.689

$ 8.056

$ 7.171

Envase tipo carrete

$ 6.496

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPG20N04S418AATMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.116
2.689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S418AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S418AATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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2.689En existencias

Cinta cortada

$ 6.116

$ 3.851

$ 2.556

$ 2.020

Envase tipo carrete

$ 1.451

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

8.7 nC

- 55 C

+ 175 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6L020ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.315
13.772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6L020ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6L020

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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13.772En existencias

Cinta cortada

$ 5.315

$ 3.320

$ 2.712

$ 2.311

Envase tipo carrete

$ 1.704

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.26 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC90N10S5N062ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 9.912
3.778En existencias
25.000Se espera el 9/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC90N10S5N062ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC90N10S5N062A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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3.778En existencias

25.000Se espera el 9/07/2026

Cinta cortada

$ 9.912

$ 6.327

$ 4.387

$ 3.590

Ver

Envase tipo carrete

$ 2.716

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N014TATMA1
Infineon Technologies
1: $ 24.802
563En existencias
1.800Se espera el 13/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N014TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US300N08S5N014T1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

563En existencias

1.800Se espera el 13/11/2026

Cinta cortada

$ 24.802

$ 17.294

$ 12.485

$ 12.359

$ 11.684

Envase tipo carrete

$ 10.081

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

144 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6L030HATMA1
Infineon Technologies
1: $ 10.292
7.617En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6L030HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6L030H

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Hoja de datos

7.617En existencias

Cinta cortada

$ 10.292

$ 6.622

$ 4.513

$ 3.729

$ 3.526

Envase tipo carrete

$ 3.007

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

119 A

3 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N031ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.642
7.392Se espera el 7/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N031ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N031

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

7.392Se espera el 7/08/2026

Cinta cortada

$ 11.642

$ 7.550

$ 5.188

$ 4.260

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Envase tipo carrete

$ 3.455

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 24.422
5.504Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N10S5N015ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N015

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

5.504Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

$ 24.422

$ 17.083

$ 13.793

$ 12.274

$ 10.503

Envase tipo carrete

$ 10.503

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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