Resultados: 19
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 980En existencias
Cinta cortada
$ 20.112,29
$ 10.450,87
$ 9.548,64
$ 8.458,44
Envase tipo carrete
$ 7.894,54
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 148 mOhms 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5 2.418En existencias
Cinta cortada
$ 47.705,60
$ 27.330,16
$ 26.954,23
$ 26.427,92
$ 24.999,39
Envase tipo carrete
$ 24.999,39
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 22.5 A 61 mOhms 25 V 4 V 96 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 1.000En existencias
Cinta cortada
$ 28.044,42
$ 15.037,22
$ 13.796,65
$ 13.157,57
Envase tipo carrete
$ 12.292,93
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 125 mOhms 25 V 4 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5 2.750En existencias
Cinta cortada
$ 26.916,63
$ 14.398,14
$ 13.195,16
$ 12.480,90
$ 11.766,63
Envase tipo carrete
$ 11.766,63
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel 1 Channel 650 V 22.5 A 105 mOhms 25 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 2.8 W MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS 1.092En existencias
Cinta cortada
$ 34.397,65
$ 18.834,12
$ 17.330,40
$ 17.255,22
Envase tipo carrete
$ 16.315,39
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp 2.263En existencias
5.000Se espera el 20/08/2027
Cinta cortada
$ 15.112,41
$ 7.969,73
$ 6.954,72
$ 5.751,74
Envase tipo carrete
$ 5.563,77
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 270 mOhms 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS 1.989En existencias
2.500Se espera el 30/04/2027
Cinta cortada
$ 15.150,00
$ 7.706,58
$ 6.992,31
$ 5.751,74
Envase tipo carrete
$ 5.375,81
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 550 V 13 A 240 mOhms 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5 5.704En existencias
Cinta cortada
$ 14.059,81
$ 7.105,09
$ 6.428,41
$ 5.225,44
Envase tipo carrete
$ 4.849,50
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 375 mOhms 25 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5 1.870En existencias
Cinta cortada
$ 14.661,29
$ 7.631,39
$ 6.879,53
$ 5.676,55
$ 5.450,99
Envase tipo carrete
$ 5.112,66
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 240 mOhms 25 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm 821En existencias
Cinta cortada
$ 17.142,44
$ 8.796,78
$ 8.007,32
$ 6.804,34
Envase tipo carrete
$ 6.428,41
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 190 mOhms 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS 753En existencias
2.500Se espera el 23/04/2027
Cinta cortada
$ 10.112,53
$ 4.962,28
$ 4.473,57
$ 3.575,10
$ 3.503,67
Envase tipo carrete
$ 3.135,26
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5 471En existencias
Cinta cortada
$ 11.841,81
$ 5.939,70
$ 5.300,62
$ 4.360,80
$ 4.097,64
Envase tipo carrete
$ 3.834,49
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 340 mOhms 25 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5 1En existencias
3.000Se espera el 14/05/2027
Cinta cortada
$ 14.661,29
$ 7.405,83
$ 6.729,16
$ 5.526,18
Envase tipo carrete
$ 5.150,25
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 198 mOhms 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
927En pedido
Cinta cortada
$ 28.006,83
$ 14.999,63
$ 13.759,06
$ 13.119,98
Envase tipo carrete
$ 12.255,34
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp
990Se espera el 13/07/2027
Cinta cortada
$ 46.615,40
$ 29.247,40
$ 28.645,91
$ 26.202,36
Envase tipo carrete
$ 23.984,37
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 79 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
2.000Se espera el 23/04/2027
Cinta cortada
$ 45.374,83
$ 25.412,91
$ 24.585,86
$ 23.946,78
Envase tipo carrete
$ 22.367,87
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 26.5 A 63 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
2.486Se espera el 23/04/2027
Cinta cortada
$ 14.360,55
$ 7.255,46
$ 6.578,79
$ 5.375,81
$ 5.338,21
Envase tipo carrete
$ 4.999,88
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 198 mOhms 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5 Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Cinta cortada
$ 27.781,27
$ 14.999,63
$ 13.759,06
$ 12.932,01
Envase tipo carrete
$ 11.428,29
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 18.3 A 110 mOhms 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Envase tipo carrete
$ 13.947,03
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel 1 Channel 650 V 22.5 A 75 mOhms 25 V 4 V 82 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel