Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single N-channel MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

NVMYS011N04CTWG
onsemi
1: $ 5.779
3.000En existencias

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NVMYS011N04CTWG

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863-NVMYS011N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

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Cinta cortada

$ 5.779

$ 3.632

$ 2.404

$ 1.881

$ 1.708

Envase tipo carrete

$ 1.493

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

NVMYS5D3N04CTWG
onsemi
1: $ 4.513
2.970En existencias

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NVMYS5D3N04CTWG

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863-NVMYS5D3N04CTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

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2.970En existencias

Cinta cortada

$ 4.513

$ 3.623

$ 2.527

$ 2.126

Envase tipo carrete

$ 1.763

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

NVMYS8D0N04CTWG
onsemi
1: $ 1.982
11.812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS8D0N04CTWG

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863-NVMYS8D0N04CTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

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11.812En existencias

Cinta cortada

$ 1.982

$ 1.928

$ 1.801

Envase tipo carrete

$ 1.746

$ 1.573

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

NVMYS010N04CLTWG
onsemi
1: $ 5.821
1.501En existencias

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NVMYS010N04CLTWG

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863-NVMYS010N04CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

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Cinta cortada

$ 5.821

$ 3.661

$ 2.484

$ 2.101

$ 1.759

Envase tipo carrete

$ 1.578

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

38 A

10.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7.3 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

NVMYS014N06CLTWG
onsemi
1: $ 6.243
41En existencias
3.000Se espera el 26/06/2026

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NVMYS014N06CLTWG

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863-NVMYS014N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

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41En existencias

3.000Se espera el 26/06/2026

Cinta cortada

$ 6.243

$ 3.952

$ 2.624

$ 2.058

$ 1.873

Envase tipo carrete

$ 1.603

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

NVMYS021N06CLTWG
onsemi
1: $ 4.555
2.938En existencias
3.000Se espera el 26/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS021N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS021N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

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2.938En existencias

3.000Se espera el 26/05/2026

Cinta cortada

$ 4.555

$ 2.556

$ 2.126

$ 1.881

Envase tipo carrete

$ 1.388

Ver

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

NVMYS025N06CLTWG
onsemi
1: $ 5.610
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS025N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS025N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

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862En existencias

Cinta cortada

$ 5.610

$ 3.522

$ 2.333

$ 1.818

$ 1.649

Envase tipo carrete

$ 1.443

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.8 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NVMYS6D2N06CLTWG
onsemi
1: $ 7.508
8En existencias
3.000Se espera el 17/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS6D2N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS6D2N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

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3.000Se espera el 17/07/2026

Cinta cortada

$ 7.508

$ 4.766

$ 3.210

$ 2.539

$ 2.320

Envase tipo carrete

$ 2.042

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

71 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

NVMYS3D3N06CLTWG
onsemi
1: $ 8.816
6.000Se espera el 17/04/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS3D3N06CLTWG

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863-NVMYS3D3N06CLTWG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

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6.000Se espera el 17/04/2026

Cinta cortada

$ 8.816

$ 5.905

$ 4.172

$ 3.438

Envase tipo carrete

$ 2.788

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

133 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40.7 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel

NVMYS7D3N04CLTWG
onsemi
1: $ 4.724
2.645Se espera el 17/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS7D3N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS7D3N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel

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2.645Se espera el 17/07/2026

Cinta cortada

$ 4.724

$ 3.433

$ 2.455

$ 2.025

Envase tipo carrete

$ 1.573

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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