RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs enable high current handling capability with reduced package resistance. The HSOP-8 and HSMT-8 packaged components provide simultaneous low ON-resistance and gate charge capacitance, minimizing energy loss. Operating within a -55°C to +150°C temperature range, these MOSFETs are ideal for drive applications that operate on 24V/36V/48V power supplies.

Resultados: 18
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A
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2.641En existencias
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 60 V 65 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18.8 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 120A
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3.129En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET
Hoja de datos
4.997En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 15.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET
Hoja de datos
3.871En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 21.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 210A
Hoja de datos
7.131En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 210 A 1.34 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 150V 85A
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1.750En existencias
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Carrete: 2.500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 85 A 13.9 mOhms 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 270A HSOP8, Power MOSFET
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2.453En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 270 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 225A, HSOP8, Power MOSFET
Hoja de datos
2.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 225 A 1.2 mOhms 20 V 4 V 52 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 120A
Hoja de datos
2.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 210 A 1.38 mOhms - 20 V, 20 V 4 V - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 150A
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2.440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HS0P8 100V 60A N CHAN
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4.015En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 100A
Hoja de datos
1.297En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 45 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH
Hoja de datos
5.870En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 40V 100A N CHAN
Hoja de datos
4.780En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 90A
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987En existencias
2.500Se espera el 18/06/2026
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 35A N CHAN
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4.888En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 35 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A
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5.985Se espera el 19/06/2026
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.
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2.500Se espera el 28/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape