Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Infineon Technologies
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29 A
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IPDD60R125G7XTMA1
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665 En existencias
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Si
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HDSOP-10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDD60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
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21 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R050G7XTM1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
21 En existencias
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Si
SMD/SMT
HDSOP-10
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IPT60R050G7XTMA1
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9 En existencias
2.000 Se espera el 7/01/2027
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
9 En existencias
2.000 Se espera el 7/01/2027
1
$ 38.004
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Si
SMD/SMT
HSOF-8
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CoolMOS
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IPT60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
NRND
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726-IPT60R125G7XTMA1
NRND
Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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HSOF-8
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600 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDD60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
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$ 9.153
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R102G7XTM1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
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Min.: 1.700
Mult.: 1.700
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-10
N-Channel
1 Channel
600 V
23 A
102 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
Reel