Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ065N03LSATMA1
Infineon Technologies
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BSZ065N03LSATMA1

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726-BSZ065N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

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49 A

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26 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.895
4.732En existencias

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IQE008N03LM5CGATMA1

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$ 11.895

$ 7.719

$ 5.315

$ 4.387

$ 4.066

Envase tipo carrete

$ 4.066

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

253 A

850 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 7.086
3.847En existencias

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BSZ009NE2LS5ATMA1

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726-BSZ009NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

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$ 7.086

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$ 5.019

$ 4.302

$ 3.712

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$ 3.712

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TSDSON-8

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1 Channel

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40 A

960 uOhms

- 16 V, 16 V

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92 nC

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69 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IQDH29NE2LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $ 12.865
4.903En existencias

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IQDH29NE2LM5CGATMA1

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726-IQDH29NE2LM5CGAT

Infineon Technologies

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$ 12.865

$ 8.858

$ 7.508

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$ 7.128

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SMD/SMT

TTFN-9

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1 Channel

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789 A

290 uOhms

- 16 V, 16 V

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88 nC

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333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQDH35N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
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450En existencias
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IQDH35N03LM5CGATMA1

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726-IQDH35N03LM5CGAT

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450En existencias

5.000Se espera el 9/03/2026

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$ 7.424

$ 7.171

$ 7.044

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$ 7.044

MouseReel Disponible

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TTFN-9

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278 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
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IQE006NE2LM5CGSCATMA1

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726-IQE006NE2LM5CGSC

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$ 4.598

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$ 4.260

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

WHTFN-9

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47 A

580 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

82 nC

- 55 C

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2.1 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5SCATMA1
Infineon Technologies
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IQE006NE2LM5SCATMA1

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726-IQE006NE2LM5SCAT

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$ 8.014

$ 5.526

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$ 4.260

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 6.000

SMD/SMT

WHSON-8

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1 Channel

25 V

47 A

580 uOhms

- 16 V, 16 V

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82 nC

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+ 150 C

2.1 W

Enhancement

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BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
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BSC011N03LSATMA1

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$ 2.657

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

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230 A

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96 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.441
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BSC0504NSIATMA1

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726-BSC0504NSIATMA1

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$ 1.405

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5.000

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TDSON-8

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1 Channel

30 V

72 A

3.7 mOhms

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1.2 V

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- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

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BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
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7.552En existencias
2.200Se espera el 2/03/2026

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BSC0901NSATMA1

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726-BSC0901NSATMA1

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2.200Se espera el 2/03/2026

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$ 5.399

$ 3.387

$ 2.240

$ 1.767

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$ 1.388

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.267
7.273En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ019N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ019N03LSATMA1

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7.273En existencias

Cinta cortada

$ 8.267

$ 5.272

$ 3.556

$ 2.822

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Envase tipo carrete

$ 2.459

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

149 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: $ 5.230
13.719En existencias
5.000Se espera el 4/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0506NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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13.719En existencias

5.000Se espera el 4/03/2027

Cinta cortada

$ 5.230

$ 3.024

$ 2.109

$ 1.683

$ 1.396

Envase tipo carrete

$ 1.303

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0904NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $ 4.598
19.840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0904NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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19.840En existencias

Cinta cortada

$ 4.598

$ 2.864

$ 1.877

$ 1.451

$ 1.202

Envase tipo carrete

$ 1.088

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 12.190
5.123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE008N03LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE008N03LM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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5.123En existencias

Cinta cortada

$ 12.190

$ 7.888

$ 5.610

$ 4.724

$ 4.471

Envase tipo carrete

$ 4.066

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

253 A

850 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

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