Small Signal Power MOSFETs

Infineon Technologies Small Signal Power MOSFETs are N- and P-channel devices with excellent robustness and price/performance ratio. These MOSFETs simplify the design complexity for various applications in the consumer industry market. The small-signal power MOSFETs are available in logic and normal level gate drive capability and feature a wide range of on-resistance (RDS(on)) options. These MOSFETs are tested to the JEDEC industrial standard and are avalanche rated. The small signal power MOSFETs feature 60V to 600V breakdown voltages, design flexibility, and gate drive flexibility. These MOSFETs are RoHS-compliant and halogen-free. Typical applications include washing machines, ceiling fans, vacuum cleaners, SMPS, automation, and medical.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V 25.486En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 290 mA 5.5 Ohms 20 V 2 V 290 pC - 55 C + 150 C 960 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V 2.417En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 260 mOhms 20 V 4 V 10.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V 2.462En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 250 mOhms 20 V 2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V 9.028En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 550 mA 1.7 Ohms 20 V 2 V 870 pC - 55 C + 150 C 1.04 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal Power-Transistor 2.457En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 240 V 121 mA 14 Ohms 20 V 1.8 V 1.11 nC - 55 C + 150 C 440 mW Enhancement Reel, Cut Tape