Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V_(ds) and are 100% tested gate resistance(R_g). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

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Resultados: 47

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2307CDS-T1-E3 SI2307CDS-T1-E3 Vishay Semiconductors 1: $ 3.646,53 364.298En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2307CDS-T1-E3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2307CDS-E3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	364.298En existencias	Cinta cortada $ 3.646,53 $ 1.672,89 $ 1.477,41 $ 1.135,31 Envase tipo carrete $ 812,01 Ver $ 1.086,44 $ 744,34 $ 702,99 $ 699,23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	30 V	3.5 A	88 mOhms	20 V	1 V	4.1 nC	- 55 C	+ 150 C	1.8 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 2.481,14 189.395En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2302DDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2302DDS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23	Hoja de datos	189.395En existencias	Cinta cortada $ 2.481,14 $ 1.109,00 $ 977,42 $ 736,82 Envase tipo carrete $ 560,14 Ver $ 484,95 $ 436,08 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	20 V	2.9 A	57 mOhms	8 V	850 mV	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	860 mW	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 3.834,49 178.486En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2369DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2369DS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	178.486En existencias	Cinta cortada $ 3.834,49 $ 2.721,74 $ 1.691,69 $ 1.169,14 Envase tipo carrete $ 879,68 Ver $ 981,18 $ 763,14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 6.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	30 V	7.6 A	29 mOhms	20 V	2.5 V	11.4 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 2.781,89 384.102En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2371EDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2371EDS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SOT-23 Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishaypchannelmosfet	Hoja de datos	384.102En existencias	Cinta cortada $ 2.781,89 $ 1.909,73 $ 1.210,50 $ 748,10 Envase tipo carrete $ 492,47 Ver $ 552,62 $ 428,56 $ 372,17 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	30 V	4.8 A	45 mOhms	12 V	1.5 V	10.6 nC	- 55 C	+ 150 C	1.7 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 5V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 3.834,49 22.369En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2329DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2329DS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 5V Vgs SOT-23	Hoja de datos	22.369En existencias	Cinta cortada $ 3.834,49 $ 1.759,36 $ 1.556,35 $ 1.199,22 $ 1.135,31 Envase tipo carrete $ 905,99 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	8 V	6 A	30 mOhms	5 V	350 mV	19.3 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 2.330,77 60.661En existencias 51.000Se espera el 26/11/2026	N.º de artículo del Fabricante SI2318CDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2318CDS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SOT-23 Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay siliconix p channel mosfets	Hoja de datos	60.661En existencias 51.000Se espera el 26/11/2026	Cinta cortada $ 2.330,77 $ 1.048,85 $ 921,03 $ 695,47 Envase tipo carrete $ 556,38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	40 V	5.6 A	42 mOhms	20 V	2.5 V	2.9 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23 Vishay / Siliconix SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: $ 3.082,63 63.309En existencias 24.000Se espera el 31/03/2028	N.º de artículo del Fabricante SI2342DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2342DS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23	Hoja de datos	63.309En existencias 24.000Se espera el 31/03/2028	Cinta cortada $ 3.082,63 $ 1.394,70 $ 1.229,29 $ 936,07 Envase tipo carrete $ 721,79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	8 V	6 A	17 mOhms	5 V	800 mV	6 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2347DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 2.330,77 125.391En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2347DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2347DS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishaypchannelmosfet	Hoja de datos	125.391En existencias	Cinta cortada $ 2.330,77 $ 1.048,85 $ 921,03 $ 695,47 Envase tipo carrete $ 526,30 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	30 V	5 A	33 mOhms	20 V	2.5 V	6.9 nC	- 55 C	+ 150 C	1.7 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23 Vishay / Siliconix SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: $ 2.857,07 11.531En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2366DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2366DS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	11.531En existencias	Cinta cortada $ 2.857,07 $ 1.300,72 $ 1.142,83 $ 868,40 $ 853,36 Envase tipo carrete $ 665,40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	5.8 A	36 mOhms	20 V	2.5 V	3.2 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 3.233,00 12.222En existencias 87.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SI2392ADS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2392ADS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23 Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishayThunderFET	Hoja de datos	12.222En existencias 87.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SI2392ADS-T1-GE3 Existencias: 12.222 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 60.000 Se espera el 21/07/2027 27.000 Se espera el 24/04/2028 Plazo de entrega de fábrica: 38 Semanas	Cinta cortada $ 3.233,00 $ 1.466,13 $ 1.293,20 $ 988,70 Envase tipo carrete $ 834,57 Ver $ 984,94 $ 778,18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 6.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	100 V	3.1 A	102 mOhms	20 V	3 V	2.9 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 2.669,11 42.749En existencias 33.000Se espera el 24/04/2028	N.º de artículo del Fabricante SI2300DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2300DS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SOT-23	Hoja de datos	42.749En existencias 33.000Se espera el 24/04/2028	Cinta cortada $ 2.669,11 $ 1.199,22 $ 1.056,37 $ 800,73 Envase tipo carrete $ 609,01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	3.6 A	68 mOhms	12 V	1.5 V	3 nC	- 55 C	+ 150 C	1.7 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 3.571,34 58.508En existencias 114.000Se espera el 15/07/2027	N.º de artículo del Fabricante SI2302CDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2302CDS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23	Hoja de datos	58.508En existencias 114.000Se espera el 15/07/2027	Cinta cortada $ 3.571,34 $ 2.552,57 $ 1.590,19 $ 1.097,72 $ 936,07 Envase tipo carrete $ 827,05 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	20 V	2.9 A	57 mOhms	8 V	850 mV	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	860 mW	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W Vishay Semiconductors SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Vishay Semiconductors 1: $ 3.571,34 40.849En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2306BDS-T1-E3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2306BDS-E3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W	Hoja de datos	40.849En existencias	Cinta cortada $ 3.571,34 $ 1.627,78 $ 1.436,05 $ 1.101,48 Envase tipo carrete $ 853,36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	3.16 A	47 mOhms	20 V	1 V	3 nC	- 55 C	+ 150 C	750 mW	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V Vishay / Siliconix SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: $ 3.458,56 25.906En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2306BDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2306BDS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V	Hoja de datos	25.906En existencias	Cinta cortada $ 3.458,56 $ 1.582,67 $ 1.394,70 $ 1.071,40 Envase tipo carrete $ 830,81 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	3.16 A	47 mOhms	20 V	3 V	3 nC	- 55 C	+ 150 C	750 mW	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2309CDS-T1-E3 SI2309CDS-T1-E3 Vishay Semiconductors 1: $ 3.458,56 22.626En existencias 21.000Se espera el 26/11/2026	N.º de artículo del Fabricante SI2309CDS-T1-E3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2309CDS-E3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	22.626En existencias 21.000Se espera el 26/11/2026	Cinta cortada $ 3.458,56 $ 1.578,91 $ 1.390,94 $ 1.063,88 $ 1.003,73 Envase tipo carrete $ 819,53 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	60 V	1.6 A	345 mOhms	20 V	3 V	4.1 nC	- 55 C	+ 150 C	1.7 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 3.270,60 58.280En existencias 18.000Se espera el 18/10/2027	N.º de artículo del Fabricante SI2309CDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2309CDS-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	58.280En existencias 18.000Se espera el 18/10/2027	Cinta cortada $ 3.270,60 $ 1.488,69 $ 1.312,00 $ 1.003,73 Envase tipo carrete $ 774,42 $ 676,68 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	60 V	1.6 A	345 mOhms	20 V	3 V	2.7 nC	- 55 C	+ 150 C	1.7 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 4.699,13 46.022En existencias 98.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SI2312CDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2312CDS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23	Hoja de datos	46.022En existencias 98.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SI2312CDS-T1-GE3 Existencias: 46.022 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 8.000 Pendiente 90.000 Se espera el 14/01/2027 Plazo de entrega de fábrica: 19 Semanas	Cinta cortada $ 4.699,13 $ 3.248,04 $ 2.056,34 $ 1.270,65 $ 939,83 Envase tipo carrete $ 834,57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	20 V	6 A	31.8 mOhms	8 V	1 V	8.8 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2325DS-T1-E3 SI2325DS-T1-E3 Vishay Semiconductors 1: $ 6.165,26 15.760En existencias 24.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SI2325DS-T1-E3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2325DS-E3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	15.760En existencias 24.000En pedido	Cinta cortada $ 6.165,26 $ 2.909,70 $ 2.593,92 $ 2.033,78 $ 2.026,27 Envase tipo carrete $ 1.624,02 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	150 V	690 mA	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	1.25 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 2.781,89 24.672En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2377EDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2377EDS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23	Hoja de datos	24.672En existencias	Cinta cortada $ 2.781,89 $ 1.251,85 $ 1.101,48 $ 834,57 Envase tipo carrete $ 639,08 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	20 V	4.4 A	61 mOhms	8 V	1 V	7.6 nC	- 55 C	+ 150 C	1.8 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SI2122DS-T1-GE3 Vishay 1: $ 2.481,14 2.955En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2122DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2122DS-T1-GE3	Vishay	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET	Hoja de datos	2.955En existencias	Cinta cortada $ 2.481,14 $ 2.477,38 $ 1.578,91 $ 1.086,44 $ 913,51 Envase tipo carrete $ 586,45	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	100 V	2.17 A	160 mOhms	20 V	4 V	3.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1.6 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23 SI2338DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 3.496,15 81En existencias 42.000Se espera el 2/09/2027	N.º de artículo del Fabricante SI2338DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2338DS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	81En existencias 42.000Se espera el 2/09/2027	Cinta cortada $ 3.496,15 $ 1.729,28 $ 1.560,11 $ 1.146,59 $ 969,90 Envase tipo carrete $ 751,86 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	6 A	28 mOhms	20 V	2.5 V	4.2 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23 SI2356DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 2.593,92 1.511En existencias 339.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SI2356DS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SI2356DS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23	Hoja de datos	1.511En existencias 339.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SI2356DS-T1-GE3 Existencias: 1.511 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 144.000 Se espera el 26/08/2027 195.000 Se espera el 2/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 38 Semanas	Cinta cortada $ 2.593,92 $ 1.146,59 $ 1.007,49 $ 755,62 $ 654,12 Envase tipo carrete $ 484,95 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 6.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	40 V	4.3 A	51 mOhms	12 V	1.5 V	3.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1.7 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23 Vishay Semiconductors SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Vishay Semiconductors 1: $ 2.669,11 2.160En existencias 228.000Se espera el 15/07/2027	N.º de artículo del Fabricante SI2302CDS-T1-E3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2302CDS-E3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23	Hoja de datos	2.160En existencias 228.000Se espera el 15/07/2027	Cinta cortada $ 2.669,11 $ 1.199,22 $ 1.056,37 $ 800,73 Envase tipo carrete $ 612,77 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	20 V	2.6 A	57 mOhms	8 V	850 mV	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	710 mW	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 SI2303CDS-T1-E3 Vishay Semiconductors 1: $ 3.383,38 910En existencias 57.000Se espera el 22/04/2027	N.º de artículo del Fabricante SI2303CDS-T1-E3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2303CDS-E3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	910En existencias 57.000Se espera el 22/04/2027	Cinta cortada $ 3.383,38 $ 2.037,54 $ 1.428,54 $ 1.026,29 $ 921,03 Envase tipo carrete $ 725,55 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	30 V	2.7 A	190 mOhms	20 V	1 V	4 nC	- 55 C	+ 150 C	2.3 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23 SI2303CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $ 3.571,34 910En existencias	N.º de artículo del Fabricante SI2303CDS-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SI2303CDS-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23	Hoja de datos	910En existencias	Cinta cortada $ 3.571,34 $ 2.552,57 $ 1.590,19 $ 1.097,72 $ 936,07 Envase tipo carrete $ 827,05 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	30 V	2.7 A	190 mOhms	20 V	3 V	2 nC	- 55 C	+ 150 C	2.3 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel