Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V_(ds) and are 100% tested gate resistance(R_g). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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1 Channel

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Enhancement

TrenchFET

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TrenchFET

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Enhancement

TrenchFET

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SI2302CDS-T1-GE3
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SI2300DS-T1-GE3
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SI2305CDS-T1-GE3
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SI2306BDS-T1-E3
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SI2309CDS-T1-E3
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$ 742

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1.6 A

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SI2325DS-T1-E3
Vishay Semiconductors
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SI2325DS-T1-E3

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781-SI2325DS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23

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$ 1.549

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$ 1.517

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SOT-23-3

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1 Channel

150 V

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- 20 V, 20 V

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12 nC

- 55 C

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1.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V

SI2333CDS-T1-E3
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SI2333CDS-T1-E3

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781-SI2333CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V

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$ 4.359

$ 2.017

$ 1.769

$ 1.387

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$ 1.088

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

7.1 A

35 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2343CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $ 3.422
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SI2343CDS-T1-GE3

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781-SI2343CDS-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

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$ 3.422

$ 1.560

$ 1.376

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$ 818

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SOT-23-3

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1 Channel

30 V

5.9 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2367DS-T1-GE3
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SI2367DS-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

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20 V

3.8 A

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- 8 V, 8 V

1 V

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- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2377EDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo del Fabricante
SI2377EDS-T1-GE3

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781-SI2377EDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

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$ 1.055

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.4 A

61 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

7.6 nC

- 55 C

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1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23

SI2342DS-T1-GE3
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Vishay / Siliconix

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

8 V

6 A

17 mOhms

- 5 V, 5 V

800 mV

6 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2301CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
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SI2301CDS-T1-E3

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.1 A

112 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

10 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

TrenchFET

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SI2303CDS-T1-E3
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

TrenchFET

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SI2303CDS-T1-GE3
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

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SI2309CDS-T1-GE3
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1.6 A

345 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

150 V

530 mA

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

750 mW

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TrenchFET

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SI2366DS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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N-Channel

1 Channel

30 V

5.8 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

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TrenchFET

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SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

530 mA
690 mA
1.15 A
1.6 A
2.17 A
2.3 A
2.6 A
2.7 A
2.9 A
3.1 A
3.16 A
3.5 A
3.6 A
3.8 A
4.3 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.2 A
5.3 A

17 mOhms
23 mOhms
26.5 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
31.8 mOhms
33 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
39 mOhms
42 mOhms
45 mOhms
47 mOhms
51 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
61 mOhms
66 mOhms

2 nC
2.7 nC
2.9 nC
3 nC
3.2 nC
3.3 nC
3.5 nC
3.8 nC
4 nC
4.1 nC
4.2 nC
6 nC
6.7 nC
6.9 nC
7 nC
7.6 nC
7.7 nC
8.8 nC
9 nC
10 nC