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FFSP0865B

Name: onsemi FFSP0865B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP0865B
Price: 12696 COP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FFSP0865B

Fabricante N.º:

FFSP0865B

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE TO220 650V

Hoja de datos:

FFSP0865B Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$ 6.032	$ 3.016.000
	$ 5.779	$ 5.779.000
	$ 5.526	$ 13.815.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	8 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.39 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	56 A
Ir - Corriente inversa:	40 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSP0865B
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Dp - Disipación de potencia :	73 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	650 V

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Hoja de datos

FFSP0865B Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSP0865B 650V 8A SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP0865B 650V, 8A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSP0865B SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The FFSP0865B 650V and 8A SiC Schottky Diodes come in a TO-220-2LD package.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.