OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs are advanced N‑channel devices engineered for high-efficiency power switching in modern vehicle architectures. Built on the OptiMOS™ 7 technology, these 100V MOSFETs deliver very low on-resistance, fast switching behavior, and high avalanche capability, enabling reduced conduction and switching losses while maintaining strong ruggedness and thermal performance. These features support high-power-density designs in compact packages, well-suited for demanding automotive environments that require reliability, efficiency, and consistent operation.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
Hoja de datos
4.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.6 mOhms 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
Hoja de datos
2.000Se espera el 2/07/2026
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 206 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel