OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs set industry benchmark performance with a wide portfolio offering, including PQFN 3.3mm x 3.3mm, SuperSO8, PQFN 5mm x 6mm Dual-Side Cooling, and PQFN 3.3mm x 3.3mm Source-Down. The 80V family is ideal for high switching frequency applications such as telecom, servers, and solar. The performance improvements of OptiMOS™ 6 80V also demonstrate benefits in battery management systems (BMS).

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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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700En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK
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798En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin
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800En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL
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1.475En existencias
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: 2.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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6.352En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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720En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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776En existencias
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: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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337En existencias
5.000Se espera el 20/08/2026
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: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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775En existencias
5.000Se espera el 11/06/2026
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: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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26En existencias
5.000Se espera el 29/04/2027
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220
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500Se espera el 2/07/2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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4.740Se espera el 13/08/2026
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: 5.000

Infineon Technologies Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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3.976Se espera el 29/10/2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
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1.000En pedido
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Infineon Technologies Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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4.000Se espera el 17/09/2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
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1.000En pedido
Min.: 1
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: 5.000