NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.

Resultados: 26
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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31.137En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 6.2 mOhms, 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
Hoja de datos
4.049En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 42 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
Hoja de datos
7.390En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 70 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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2.178En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 145 A 2.2 mOhms, 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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1.356En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 127 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 38 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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1.332En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 7.4 mOhms 20 V 2.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
Hoja de datos
1.330En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 40 V 36 A 11.5 mOhms 20 V 2.2 V 9 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
Hoja de datos
1.350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 7.4 mOhms 20 V 2.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
Hoja de datos
1.350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 40 V 36 A 11.5 mOhms 20 V 2.2 V 9 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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1.350En existencias
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Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 28 mOhms 20 V 2.2 V 5 nC - 55 C + 175 C 24 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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10.990En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 111 A 3.5 mOhms, 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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2.083En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 145 A 2.2 mOhms, 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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5.233En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 3.9 mOhms, 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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3.136En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 49 A 9.8 mOhms, 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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1.780En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 6.2 mOhms, 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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190En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 3.9 mOhms, 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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859En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 29 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8
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99En existencias
1.500Se espera el 3/04/2026
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 27 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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125En existencias
1.500Se espera el 3/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 60 V 111 A 4.2 mOhms 20 V 2.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL
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535En existencias
1.500Se espera el 3/04/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 68 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21.3 nC - 55 C + 175 C 57.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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1.242En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 49 A 9.8 mOhms, 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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3En existencias
1.500Se espera el 10/04/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 42 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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186En existencias
6.000Se espera el 1/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 26 A 23 mOhms, 23 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
Hoja de datos
48En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 36 A 9.2 mOhms, 9.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9 nC - 55 C + 175 C 24 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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179En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 26 A 23 mOhms, 23 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel