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BC846B-Q

Name: Diotec Semiconductor BC846B-Q
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-BC846B-Q
Price: 422 COP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-BC846B-Q

Fabricante N.º:

BC846B-Q

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BJT, SOT-23, 65V, 100mA, NPN, 0.25W, 150C

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$ 422	$ 422
	$ 262	$ 2.620
	$ 219	$ 21.900
	$ 173	$ 86.500
	$ 152	$ 152.000
2.500	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Single
Corriente CC máxima de colector:	100 mA
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	65 V
Tensión VCBO colector-base:	80 V
Voltaje VEBO emisor-base:	6 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	200 mV
Dp - Disipación de potencia :	250 mW
Producto para ganar Ancho de banda fT:	300 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Marca:	Diotec Semiconductor
Corriente continua del colector:	100 mA
Máx. ganancia de CC hFE:	800 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Subcategoría:	Transistors

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CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor

Diotec Semiconductor BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor features three current gain groups in a SOT-23 package and complies with RoHS and REACH. This transistor operates at 65V collector-emitter voltage, 80V collector-base voltage, 6V emitter-base voltage, and 200mA peak collector current. The BC846B-Q NPN transistor utilizes bond wires for commercial grades and AU bond wires for all other grades. The commercial-grade transistor features 200mW of power dissipation with <625K/W thermal resistance junction to ambient. The industrial-grade transistor features 250mW of power dissipation with <420K/W thermal resistance junction to ambient. The BC846B-Q NPN transistor is housed in a UL 94V-0 case material and available in a small SOT-363 Surface-Mount Device (SMD) package. This NPN transistor is ideal for signal processing, switching, amplification, and commercial and industrial-grade use.