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FDMC86262P

Name: onsemi FDMC86262P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC86262P
Price: 8403 COP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDMC86262P

Fabricante N.º:

FDMC86262P

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO

Hoja de datos:

FDMC86262P Hoja de datos

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$ -

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$ 24.000)

Precio (COP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$ 8.403	$ 8.403
	$ 5.356	$ 53.560
	$ 3.592	$ 359.200
	$ 2.844	$ 1.422.000
	$ 2.609	$ 2.609.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$ 2.290	$ 6.870.000

† $ 24.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Power-33-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	541 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	9.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	5.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.2 ns
Serie:	FDMC86262P
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.5 ns
Peso de la unidad:	165,330 mg

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FDMC86262P P-Channel PowerTrench MOSFET

onsemi / Fairchild FDMC86262P P-Channel PowerTrench MOSFET is produced using advanced PowerTrench technology. This very high-density process is specially tailored to minimize on-state resistance and optimized for superior switching performance. Typical applications for the ON Semiconductor FDMC86262P include active clamp switches and load switches.