Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs

IXYS Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs are offered with drain current ratings of 24, 42, 52, 74, 94, and 120 Amperes. These high-performance devices retain all the features and advantages of the PolarP2 Standard versions, with the added benefit of a fast intrinsic rectifier for increased turn-off dV/dt immunity and low reverse recovery speeds (trr <=250ns). 

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Paquete / Cubierta

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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793En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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327En existencias
90Se espera el 7/12/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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928En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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130En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Módulos MOSFET MBLOC 500V 68A N-CH POLARP2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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No en existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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No en existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3